Vmos

Transistores MOSFET VMOS

VMOS transistor es un tipo de transistor semiconductor de óxido metálico. VMOS también se utiliza para describir la forma de ranura en V cortado verticalmente en el material de sustrato. VMOS / v i m ɒ s / es un acrónimo de "semiconductor de óxido metálico vertical", o "ranura en VMOS". La "V" forma del MOSFET 's puerta permite que el dispositivo para suministrar una mayor cantidad de corriente de la fuente al drenaje del dispositivo. La forma de la región de agotamiento crea un canal más m ás ancho, lo que permite más que la corriente cor riente fluya a través de ella. Esta estructura tiene una ranura en V en la zona de la puerta y se usó para los primeros dispositivos comerciales. El uso del dispositivo era un dispositivo de alimentación hasta que las geometrías más adecuados, como el UMOS (o Trench-Gate MOS) se introdujeron con el fin de disminuir el máximo del campo eléctrico en la parte superior de la forma de V y por lo tanto conduce a tensiones máximas más altas que en el caso de la VMOS. VMOS fue inventado por TJ Rodgers, mientras que él era un estudiante en la Universidad de Stanford.

Transistores MOSFET CMOS

Complementaria de metal-óxido-semiconductor, abreviado como CMOS / s i m ɒ s /, es una tecnología para la construcción de circuitos integrados. La tecnología CMOS se utiliza en microprocesadores, microcontroladores, RAM estática y otros lógicos digitales circuitos. Tecnología CMOS también se utiliza para varios circuitos analógicos, tales como los sensores de imagen (sensor CMOS), los convertidores de datos, y altamente integrados transceptores para muchos tipos de comunicación. En 1963, mientras trabajaba para Fairchild Semiconductor, Frank Wanlass patentado (CMOS patente de EE.UU. 3.356.858). CMOS también se denomina a veces de simetría complementaria de metal-óxidosemiconductor (o COS-MOS). [1] Las palabras "de simetría complementaria" se refieren al hecho de que el estilo de diseño típico con CMOS utiliza pares complementarios y simétricos de tipo p y de tipo n transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) para funciones lógicas. Dos características importantes de los dispositivos CMOS son de alta inmunidad al ruido y baja estática consumo de energía. Dado que uno transistor del par siempre está apagado, la combinación en serie obtiene la energía significativa sólo momentáneamente durante la conmutación entre estados activado y desactivado. En consecuencia, los dispositivos CMOS no producen tanto calor residual como otras formas de lógica, por ejemplo, lógica transistor-transistor (TTL) o lógica NMOS, que normalmente tienen algunos de los que la corriente incluso cuando no cambiar de estado. CMOS también permite una elevada densidad de funciones lógicas en un chip. Fue principalmente por esta razón que se convirtió en la tecnología CMOS más utilizado para ser implementado en VLSI fichas. La frase "de metal-óxido-semiconductor" es una referencia a la estructura física de ciertos transistores de efecto de campo, que tiene un electrodo de puerta de metal colocada en la parte superior de un aislante de óxido, que a su vez está en la parte superior de un material semiconductor. De aluminio fue utilizado una vez, pero ahora es el material de polisilicio. Otras puertas de metal han hecho una reaparición con el advenimiento de alta k materiales dieléctricos en el proceso de CMOS, tal como se anunció por IBM e Intel para los 45 nanómetros nodo y más allá.

Tiristor

El tiristor (gr.: puerta) es una familia de componentes electrónicos constituido por elementos semiconductores que utiliza realimentación interna para producir una conmutación.1 Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales (SCR) o bidireccionales (Triac) o (DIAC). Se emplea generalmente para el control de potencia eléctrica. Para los SCR el dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones son de tipo P-N-P-N entre los mismos. Por lo tanto, se puede modelar como 2 transistores típicos P-N-P y N-P-N, por eso se dice también que el tiristor funciona con tensión realimentada. Se crean así 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta está conectado a la unión J2 (unión NP).  Algunas fuentes definen como sinónimos al tiristor y al rectificador controlado de silicio (SCR);2 Aunque en realidad la forma correcta es clasificar al SCR como un tipo de tiristor, a la par que los dispositivos DIAC y TRIAC. Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los años 1960.  Aunque un origen más remoto de este dispositivo lo encontramos en el SCR creado por William Shockley (premio Nobel de física en 1956) en 1950, el cual fue defendido y desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. Gordon Hall lideró el desarrollo en Morgan Stanley para su posterior comercialización por parte de Frank W. "Bill" Gutzwiller, de General Electric.

DIAC

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor doble de dos conexiones. Es un diodo bidireccional autodisparable que conduce la corriente sólo tras haberse superado su tensión de disparo alternativa, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor triple de voltios característico para ese dispositivo. El comportamiento es variable para ambas direcciones de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo doble variable de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lámpara de neón. Los DIAC son una denominación de tiristor, y se usan normalmente para autocompletar el ritmo variado del disparo de un triac, otra clase de tiristor. Es un dispositivo semiconductor de dos terminales amenos, ánodo 1 y ánodo 2.  Actúa como una llave semicircular interruptora bidireccional la cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales variables alcanza el voltaje de quema o accionado, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts según la potencia del proceso de fabricación.

Existen dos tipos de DIAC: •

DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensión de avalancha en la unión del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, produciéndose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simétrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.

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DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo, lo que le da la característica bidireccional.

TRIAC

Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían dos SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominación de ánodo y cátodo) y puerta (gate). El dispa ro del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo de gate/puerta.

SCR

El rectificador controlado de silicio (en inglés SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unión de Tiratrón (tyratron) y Transistor. Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la conducción y en el instante en que se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito. El pulso de conmutación ha de ser de una duración considerable, o bien, repetitivo si se está trabajando en corriente alterna. En este último caso, según se atrase o adelante el pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensión de puerta y el tiristor continuará conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento (en la práctica, cuando la onda senoidal cruza por cero)

Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo y cátodo de un tiristor, éste puede dispararse y entrar en conducción aun sin corriente de puerta. Por ello se da como característica la tasa máxima de subida de tensión que permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parásito existente entre la puerta y el ánodo. Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del control, especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como interruptor de tipo electrónico.