Transistores BJT Marco Teorico

May 17, 2019 | Author: Maria Soledad Paucar Conto | Category: Bipolar Junction Transistor, Transistor, Electromagnetism, Semiconductors, Electricity
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Transistores BJT...

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Transistores BJT Objetivos 

Conocer que es un Transistor y cuáles son sus características.



Evaluar de forma cuantitativa la corriente que circula por los diferentes terminales del transistor y sus tensiones.



Completar las Tablas con las mediciones que nos da multímetro para poder demostrar lo que se vio en teoría.



Poder hacer Graficas de Vce-ic para saber en qué región opera el transistor.

Marco Teórico El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado sólido. Fue inventado en 1949 en los Laboratorios Bell por W. Schockley, J. Bardeen y W. Brattain. Este es un dispositivo electrónico que tiene la característica de permitir el paso de la corriente en un único sentido y de una forma controlada. • El emisor ha de ser una región muy dopada. Cuanto Cuanto más dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente. • La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinación en la misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector. • El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características de esta región tienen que ver con la recombinación de los portadores que provienen del emisor. Hay dos tipos de transistores bipolares: el NPN y NPN y el PNP. PNP. Estos nombres proceden de la descripción de su estructura física. En el transistor NPN el emisor es un semiconductor tipo N, la base es tipo P y el colector es tipo N. La estructura física del transistor PNP es dual a la anterior cambiando las regiones P por regiones N, y las N por P

Fundamento Físico del Transistor En un transistor bipolar uno de los aspectos más interesantes para su análisis y uso es el conocer las relaciones existentes entre sus tres corrientes (IE, IB e IC) Definimos los parámetros α y β (de continua) como la relación existente entre la corriente de colector y la de emisor, o la de emisor y la de base, es decir

=



=



 



Siendo   la relación entre la corriente de Colector   y la corriente de Base 



Siendo   la relación entre la corriente de Colector  y la corriente de Emisor 

Regiones operativas del Transistor Corte. -Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales. Concretamente, y a efectos de cálculo, decimos que el transistor se encuentra en co rte cuando se cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0. Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unión base-emisor del mismo, es decir, basta con que  =0.

Activa. - La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos sus terminales y se cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en directa y el colector base en inversa.

Saturación. - En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor como la base-colector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica sólo lo siguiente:

 =   = 

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