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UNIVERSIDAD DE GUADALAJARA CENTRO UNIVERSITARIO DE CCIENCIASS EXACTA E INGENIERIAS

ELECTRONICA DE POTENCIA SECCION D03 BRAVO MEDIANA, MANUEL SALVADOR

DAVID DASSAEV RAZO ALDANA

TIPO DE TIRISTORES

SCR Rectificador controlado de silicio, dispositivo que actúa a semejanza de un interruptor y debido a que es un dispositivo de estado sólido su conmutación es muy rápida, desarrollado por general eléctrica en 1958 el encendido puede ajustarse mediante una corriente que fluye por la compuerta. Cuando mayor se la corriente de la compuerta menor se vuelve el voltaje necesario entre las terminales para que este empiece a conducir. Una vez activado el circuito permanecerá activo hasta que no pase corriente mayor a la corriente de mantenimiento sobre él. Además que una vez que este ha sido activado se puede retirar la corriente en la compuerta

Ilustración 1: diagram del SCR

GTO Tiristor de desactivación por compuerta, es un SCR que puede apagarse por una pulsación grande en Su compuerta, desde los años 60 una de sus características más comunes es en la aplicación de control de motores. Un GTO requiere de una mayor corriente de compuerta para encender que un SCR, y para apagarlos se necesita de una pulsación de corriente negativa de entre 20 y 30 µA

Ilustración 2: diagrama del GTO

TRIAC Dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contra posición con una compuerta común, y conduce en cualquier dirección una vez que el voltaje de ruptura se sobrepasa, igual que en el SCR el voltaje de ruptura disminuye al inyectar corriente en la compuerta, con la diferencia que este conduce en dos direcciones tanto positiva como negativa y permanece enclavado o activo hasta que la corriente baja hasta ser menor que la corriente de mantenimiento.

Ilustración 3: diagrama del TRIAC

RTC Tiristor de conducción inversa, su característica es que se conecta un diodo anti paralelo a través de un SCR. Un RCT se conoce también como tiristor asimétrico (ASCR). El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 o 2v por debajo de las condiciones de régimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo. Sus aplicaciones se limitarán a diseños de circuitos específicos.

Ilustración 4: diagrama del RCT

SITH Tiristor de inducción estática, es activado al aplicársele un voltaje positivo de compuerta, como los tiristores normales, y desactivado al aplicársele un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo así como una baja caída de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente más altas. Un SITH tiene velocidades de conmutación muy rápidas y capacidades altas de dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutación es del orden de 1 a 6m s. LASCR Rectificador controlados de silicio activados por luz, se activa mediante radiación directa sobre el disco de silicio provocada con luz. Los pares electrón-hueco que se crean debido a la radiación producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo eléctrico. La estructura de compuerta se diseña a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prácticas. Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente. Un LASCR ofrece total aislamiento eléctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutación de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios.

FET-CTH Tiristor controlados por FET, combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje suficiente, típicamente 3v, se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutación, Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede desactivar mediante control de compuerta.

Ilustración 5: Diagrama del FET-CTH

MCT Tiristor controlados por MOS, combina las características de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente controlable pico de especificación, puede provocar la destrucción del dispositivo. Para valores más altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estándar. Los anchos de pulso de la compuerta no son críticos para dispositivos de corrientes pequeñas. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivación debe ser mayor. Además, durante la desactivación, la compuerta utiliza una corriente pico.

Ilustración 6: Estructura del MCT y diagrama