Rectificador Controlado de Silicio.docx

PREVIO N°8

UNMSM

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

U.N.M.S.M FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES APELLIDOS Y NOMBRES  NOMBRES 

MATRICULA

ABREGO CACERES MATIAS DENNYS

16190174

CURSO

TEMA

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

RECTIFICADOR CONTRLADO DE SILICIO (SCR)

INFORME

NOTA

FECHAS

REALIZACIÓN

ENTREGA

03 DE JULIO DEL 2017

03 DE JULIO DEL 2017

PREVIO NUMERO

08 GRUPO

2  – 12pm LUNES DE 10 am  – 12pm

PROFESOR

ING. LUIS PARETTO QUISPE

PREVIO N°8

UNMSM

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

RECTIFICADOR CONTRLADO DE SILICIO (SCR)

I. OBJETIVOS

.Verificar las condiciones de un SCR .Comprobar las características de funcionamiento de un SCR

II. CUESTIONARIO PREVIO: 1. De los manuales, obtener los datos de funcionamiento de un SCR C106D.

Características: RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO DE COMPUERTA SENSIBLE

.Corriente total RMS máx.: 4 A (Con ángulo de conducción de 180°) .Corriente pico no repetitivo máx.: 20 A (25°C, onda seno, 1/2 ciclo, 60 Hz) .Voltaje inverso pico repetitivo máx.: 400 V

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DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

.Sensibilidad de compuerta: 0.2 mA .Corriente pico de compuerta máx.: 200 mA .Encapsulado: TO-255AA (TO-126) 2. En el circuito experimental, obtener los valores teóricos esperados para P1 y P2 (considerar RL para P1).

Datos: . Vcc = 24 V .R1 = 100 K .R2 = 10 K

Ω

Ω

.IAK = 2 A . VAK máx = 1 V

Realizamos los cálculos con las siguientes fórmulas:

Rth = (R1 x R2) / (R1 + R2) Rth = (100000 x 10000) / (110000)

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Rth = 9090.9091

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Ω

Vcc = (IA). (RL) + VAK 24 = (2) (RL) + 1 RL = 11.5 Ω = P1

.P2 = ((Vth – 0.6) / IGT (mín.))  – Rth P2 = ((2.1818  – 0.6) V / 20 A) x1000000 -

9090.9091 Ω

P2 = 69999.0909 Ω Respuesta:

P1 = 11.5

Ω

P2 = 69999.0909

Ω