Previo-6

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y Telecomunicacion Telecomunicaciones es

Puma Helguero, Jordy Jair 

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

PREVIO 06 NUMERO:

06

REALIZACION: 22 DE JUNIO DEL 2017

HORARIO: JUEVES 2pm  –  4pm  4pm

15190264

EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP. CARACTERÍSTICAS BÁSICAS. ENTREGA: 28 DE JUNIO DEL 2017

Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica || Universidad Nacional Mayor de San Marcos

I.

TEMA: “

II.

EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP. CARACTERÍSTICAS BÁSICAS."

CUESTIONARIO PREVIO:

1. Determinar el punto de operación del circuito del experimento utilizando un transistor bipolar PNP de modelo 2N6026. Llenar las tablas 2, 3 y 5. 

Características del transistor modelo 2N6026:  Número de Parte: 2N6026 Material: Si Polaridad de transistor: PNP Especificaciones Máximas: Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W Tensión colector-base (Vcb): 80 V Tensión colector-emisor (Vce): 60 V Tensión emisor-base (Veb): 5 V Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C Características Eléctricas: Producto de corriente -- ganancia  —  ancho de banda (ft): 0.8 MHz Ganancia de corriente contínua (hfe): 30 (β) Empaquetado / Estuche: TO220   



     



  

2. Circuito por analizar:

P1 1M

RC 1k

R1 56k

Q1

V1

2N6026

12v

R2

RE

22k

330

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En esta experiencia iremos variando los valores del potenciómetro P1, por ello expresamos nuestro circuito de la siguiente forma:

 =  + 

RC R

1k

0

Q1

V1

2N6026

12v

R2

RE

22k

330

Luego hallamos su equivalente Thévenin:

RC 1k

RB

Q1

V1

2N6026

12v

0

VBB 0

RE 330

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Donde:



 = +∗ ;  =  +∗  Hallamos los valores máximos de   y  :  = + = 9.02  ;  =  = 12  Haciendo  = 56 Ω ( = 0 Ω):  = +∗ = 3.38  ;  =  +∗  = 15.79 Ω  = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  ≅ 0.7  (Silicio) ;  =  ;  ≅  En la malla 1:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + )  =  −  ≅ 3.12   +  En la malla 2:  =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   ≅ 7.85  Hallamos   y  :  =  +−+1 ≅0.0165 µ  =  ∗  = 1.02  TABLA 2 ( =  Ω)  µ    3.12  0.0165 µ  7.85  .  

 1.02 

 = 68 Ω ( = 12 Ω):  = +∗ = 2.93  ;  =  +∗  = 16.62 Ω  = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  ≅ 0.7  (Silicio) ;  =  ;  ≅ 

Haciendo

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En la malla 1:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + )  =  −  ≅ 2.52   +  En la malla 2:  =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   ≅ 8.64  Hallamos   y  :  =  +−+1 ≅ 0.83 µ  =  ∗  = 0.83  TABLA 3 ( =  Ω)  µ    2.52  0.83 µ  8.64  . 

 0.83 

Con estos valores podemos trazar nuestra recta de carga y ubicar los puntos de trabajo Q1 y Q2: 

 = 156 Ω ( = 100 Ω):  = +∗ = 1.48  ;  =  +∗  = 19.28 Ω  = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  ≅ 0.7  (Silicio) ;  =  ;  ≅ 

Haciendo

En la malla 1:

En la malla 2:



Hallamos  :

 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + )  =  −  ≅ 0.801   +   =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   ≅ 10.93   =  +−+1 ≅ 0.26 µ

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

 = 306 Ω ( = 250 Ω):  = +∗ = 0.80  ;  =  +∗  = 20.52 Ω  = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  ≅ 0.7  (Silicio) ;  =  ;  ≅ 

Haciendo

En la malla 1:

En la malla 2:



Hallamos  :



 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + )  =  −  ≅ 0.98   +   =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   ≅ 10.69   =  +−+1 ≅3.25µ

 = 556 Ω ( = 500 Ω):  = +∗ = 0.46  ;  =  +∗  = 21.16 Ω  = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  ≅ 0.7  (Silicio) ;  =  ;  ≅ 

Haciendo

En la malla 1:

En la malla 2:



Hallamos  :

 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + )  =  −  ≅ 0   +   =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   ≅ 12   =  +−+1 ≅ 0 µ

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

 = 1056 Ω ( = 1 Ω):  = +∗ = 0.24  ;  =  +∗  = 19.28 Ω  = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  < 0.7  (Silicio) ;  =  ;  ≅ 

Haciendo

En la malla 1:

En la malla 2:



Hallamos  :

R

 µ 

 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + )  =  −  ≅ 0   +   =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   ≅ 12   =  +−+1 ≅ 0 µ

 Ω 0.801  0.26 µ 10.93 

TABLA 5

 Ω 0.98  3.25 µ 10.69 

 Ω 0  0 µ 12 

 Ω 0  0 µ 12 

 Notamos que, a medida que el valor de R aumenta (P1 aumenta), el transistor pasa a la zona de saturación, donde la corriente de colector (Ic) es mínima y el voltaje colector-emisor (Vce) es máximo.

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