Práctica 9 Transistor Como Amplificador

OBJETIVO: Conoce Conocerr físicame físicamente nte el disposit dispositivo ivo electrón electrónico ico semicon semiconduc ductor tor conocid conocido o como Tran Transis sisto torr y reali realiza zarr algun algunas as prueba pruebas s bási básicas cas usánd usándolo olo como como amplif amplifica icador  dor  encontrando prácticamente su ganancia de voltaje.

MARCO TEÓRICO: Transistor:   es un dispositivo electrónico semiconductor  utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor  es la contracción contracción en ingls de transfer resistor !resistor !resistor de transferencia". #ctualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario$ radios, televiso televisores res,, reprodu reproductor ctores es de audio audio y video, video, relojes relojes de cuar cuarzo zo,, comp comput uta adora doras, s, lámp lámpar aras as fluo fluore resc scen ente tes, s, tomógrafos, telfonos celulares, entre otros. El transistor bipolar fue inventado en los %aboratorios &ell de Estados 'nidos en diciembre de ()*+ por o-n &ardeen, alter /ouser &rattain y illiam &radford 0-oc1ley, 2uienes fueron galardonados con el 3remio 4obel de 5ísica en ()67. 5ue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos, o triodo.

Transistor Transistor de unión bipolar (BJT): El transistor de unión bipolar !bipolar junction transistor" se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un cond conduct uctor or elc elctri trico co y las de un aisla aislante nte.. 0obre 0obre el sus sustrat rato de crista istall se contamin amina an en for forma muy muy controlada tres zonas sucesivas, 48384 o 38483, dando lugar a dos uniones 34. %as zonas 4 !en las 2ue abundan portadores de carga 4egativa" se obtienen contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones, como el arsnico o el fósforo9 mientras 2ue las zonas 3 !donde se generan portadores de carga 3ositiva" se logran contaminando con átomos aceptadores de electrones, como el indio, el aluminio o el galio. %a tres zonas contaminadas, contaminadas, dan como resultado transistores transistores 343 o 434, donde la letra intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al emisor y al colector 2ue, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas !por lo general, el emisor está muc-o más contaminado 2ue el colector".

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El mecanismo 2ue representa el comportamiento semiconductor dependerá de dic-as contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación y del comportamiento cuántico de la unión.

EQI!O A TI"I#AR: • • • •

:ultímetro digital. 5uente de corriente directa. ;sciloscopio.