Practica 2 Lab Dispos E-S

MEMORIAS DE SÓLO LECTURA SEMICONDUCTORAS (ROM) 1- Existen 5 tipos de memoria ROM, mencione cuales son y su definición principal? Hay 5 tipos básicos de ROM, los cuales se pueden identificar como: 

ROM: De un modo similar a la memoria RAM, los chips ROM contienen una hilera de filas y columnas, aunque la manera en que interactúan es bastante diferente. Mientras que RAM usualmente utiliza transistores para dar paso a un capacitador en cada intersección, ROM usa un diodo para conectar las líneas si el valor es igual a 1. Por el contrario, si el valor es 0, las líneas no se conectan en absoluto.



PROM : Crear chips desde la nada lleva mucho tiempo. Por ello, los desarrolladores crearon un tipo de ROM conocido como PROM ( programmable read-only memory ). ). Los chips PROM vacíos pueden ser comprados económicamente y codificados con una simple herramienta llamada programador . La peculiaridad es que solo pueden ser programados una vez. Son más frágiles que los chips ROM hasta el extremo que la electricidad estática lo puede quemar. Afortunadamente, los dispositivos PROM vírgenes son baratos e ideales para hacer pruebas para crear un chip ROM RO M definitivo.



EPROM: Trabajando con chips ROM y PROM puede ser una labor tediosa. Aunque el precio no sea demasiado elevado, al cabo del tiempo puede suponer un aumento del precio con todos los inconvenientes. Los EPROM ( Erasable programmable read-only memory ) solucionan este problema. Los chips EPROM pueden ser regrabados varias veces. Borrar una EEPROM requiere una herramienta especial que emite una frecuencia determinada de luz ultravioleta. Son configuradas usando un programador EPROM que provee voltaje a un nivel determinado dependiendo del chip usado. Para sobrescribir una EPROM, tienes que borrarla primero. El problema es que no es selectivo, lo que quiere decir que borrará toda la EPROM. Para hacer esto, hay que retirar el chip del dispositivo en el que se encuentra alojado y puesto debajo de la luz ultravioleta comentada anteriormente.



EEPROM: Aunque las EPROM son un gran paso sobre las PROM en términos de utilidad, siguen necesitando un equipamiento dedicado y un proceso intensivo para ser retirados y reinstalados cuando un cambio es necesario. Como se ha dicho, no se pueden añadir cambios a la EPROM; todo el chip sebe ser borrado. Aquí es donde entra en juego la EEPROM(Electrically erasable  programmable read-only memory ). ). Algunas peculiaridades incluyen:   

Los chips no tienen que ser retirados para sobre escribirse. No se tiene que borrar el chip por completo para cambiar una porción del mismo. Para cambiar el contenido no se requiere equipamiento adicional.

En lugar de utilizar luz ultra violeta, se pueden utilizar campos eléctricos para volver a incluir información en las celdas de datos que componen circuitos del chip. El problema problema con la EEPROM, es que, aunque son muy versátiles, también pueden ser lentos con algunos productos lo cuales deben realizar cambios rápidos a los datos almacenados en el chip. 

Memoria Flash : es una forma evolucionada de la memoria EEPROM que permite que múltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación de programación mediante impulsos eléctricos, frente a las anteriores que sólo permite escribir o borrar una única celda cada vez. Por ello, flash fla sh permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los

2- Realice el diseño y simulación en computadora del inciso (1) de la practica a partir del uso del Circuito Integrado 74LS139.

3- Cuantas líneas de dirección son necesarias para seleccionar todas las posiciones de una memoria de 64K x 8? y cuál será el número total de células de la matriz? 64K x 8 tiene una capacidad de 512 K, de tal modo sabemos que cada línea de direccionamiento es igual a    , por tal motivo para poder obtener 512k tendríamos  = 512k, por tal motivo necesitaremos 9 líneas de dirección. 1K = 1024 64K x 8 = 512 k 64 x 1024 = 65536 posiciones 65536 x 8 = 524288 células o número total de bits

4- Si una memoria tiene capacidad de 4096 x 8 bits, calcular. a) Número de células de la matriz. 4096 x 8 bits = 32768 células b) Estructura de la matriz suponiendo que la memoria tenga dos decodificadores. 256 x 128 = 32768 c) Número delineas de dirección 



= 4096 por lo tanto son 11 líneas de dirección

d) Número de líneas de datos. Las líneas de datos serán ocho, ya que la palabra es de 8 bits. 5- Describir las características de la EPROM que utilizará en el inciso 2 de la práctica, para implementar un decodificador BCD de 7 segmentos. Dibujar el diagrama de bloques completo con las entradas y las salidas que deberá alambrar y presentar la tabla de datos y direcciones a grabar. (2 puntos) 6- Las necesidades de memoria de un sistema programable son las siguientes: a) una zona de 12K para el sistema operativo; b) una zona para un intérprete de 4K; c) una zona libre para el usuario de 6K, y d) una ROM de 2K. Dibujar el mapa de memoria indicando la dirección de principio y la de final de cada tramo, suponiendo que el orden de almacenamiento sea el señalado.

Bibliograia :

http://www.ordenadores-y-portatiles.com/memoria-rom.html http://es.scribd.com/doc/19083598/ARQUITECTURA-DE-COMPUTADORAS