Prac2-Tiempos de Respuesta de Diodos

Práctica 2: TIEMPOS DE RESPUESTA DE DISTINTOS DIODOS

OBJETIVO:  

El alumno armará los circuitos que permitan obtener los tiempos de respuesta de distintos diodos como: “diodo Rectificador, diodo de respuesta rápida o conmutación de silicio (Si), diodo de germanio (Ge) o bien de diodo emisor de luz (LED)”. El alumno medirá, reportará e interpretará los tiempos de almacenamiento, los tiempos de decaimiento y los tiempos de recuperación inversa en cada diodo que estará bajo prueba.

TAREA PREVIA PARA TENER DERECHO A REALIZAR LA PRÁCTICA  Investigar que representa cada uno de los tiempos: almacenamiento, de decaimiento y de recuperación inversa, en cada uno de los diodos que esté bajo prueba.  Investigar las características y limitaciones de cada uno los diodos de la práctica, en cuanto a la frecuencia y a los tiempos de funcionamiento.  Investigar cómo se obtienen los tiempos de decaimiento (td), tiempo almacenamiento (ta) y tiempo de recuperación inversa (trr).  Investigar cómo se miden los tiempos de decaimiento (td), tiempo almacenamiento (ta) y tiempo de recuperación inversa (trr), en un osciloscopio.  Realizar la simulación de los circuitos para obtener los tiempos de respuesta del diodo rectificador, del diodo de conmutación o respuesta rápida del diodo de (Si), y del diodo de Ge o del diodo emisor de luz (LED).  Traer hojas de especificaciones de cada uno de los diodos que se emplearán en la práctica.  Traer los circuitos armados. LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO: (anotar el material y equipo utilizado en la práctica)

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Práctica 2: TIEMPOS DE RESPUESTA DE DISTINTOS DIODOS

DESARROLLO: TIEMPOS DE RESPUESTA 1. Para cada uno de los diodos comerciales y de los resistores comerciales, que se emplearán en la práctica, consultar las hojas de especificaciones. Realizar una tabla que muestre de manera sintetizada las características de tiempos de respuesta y frecuencia de cada dispositivo. 2. Para cada dispositivo dibujar el isométrico identificando en cada caso cada una de sus terminales. 3. En el circuito de la fig. 1 con el diodo bajo prueba y un resistor de aproximadamente 1KΩ a ½W o más, observar y dibujar las gráficas (en base de tiempo de) “VD vs t y VR vs t”. Reportar las mediciones de los tiempos de almacenamiento (ta), decaimiento (td) y recuperación inversa (trr), así como la corriente eléctrica del semiciclo positivo y negativo. Tomar la gráfica del resistor para realizar las mediciones. Alimentar el circuito con una señal cuadrada con una frecuencia entre 60 y un 1KHz y con una amplitud de 5Vp. NOTA: Para cada uno de los diodos realizar el mismo procedimiento.

+

+ D CH1

Vs

-

R +

CH2 inv

-

Fig. 1 3.1 Posteriormente para el mismo el circuito de la fig. 1, con el diodo bajo prueba. Con la misma amplitud del punto anterior pero variando la frecuencia del generador a frecuencias mayores a 1KHz. Anotar los cambios observados en la gráfica del resistor (VR vs t), con la variación de la frecuencia en sus diferentes escalas y dibujar la gráfica en la cual se puedan medir los tiempos de respuesta (ta, td, y trr). NOTA: Para cada uno de los diodos realizar el mismo procedimiento. 3.2 A partir de las mediciones de los tiempos de cada de almacenamiento (ta), decaimiento (td) y recuperación inversa (trr), así como la corriente eléctrica del semiciclo positivo y negativo; realizadas en cada uno de los diodos, elaborar una tabla en la que se muestre las mediciones que permitan realizar un comparativo con las mediciones en cada diodo. 3.3 Para cada uno de los diodos, a partir de las observaciones anotar comentarios y conclusiones.

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