Dept. GEII IUT - Université Bordeaux1
Paramètres S Analyseur de réseaux Amplification de puissance
G. Couturier
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Sommaire I- Introduction : modèle physique versus modèle comportemental I-1- Paramètres physiques I-2- Modèle physique simplifié de la diode et schéma aux petits signaux I-3- Modèle physique simplifié du transistor et schéma aux petits signaux I-4- Deux diodes tête bêche : un transistor ? I-5- Modèle physique du transistor et schéma aux petits signaux I-6- Paramètres comportementaux I-7- Relation entre paramètres H et paramètres physiques
II- Les paramètres S d'un quadripôle II-1- Signification physique des paramètres S II-2- Relation entre paramètre S et paramètres H II-3- Etude de cas : un transistor et un amplificateur
III- Principe de fonctionnement d’un analyseur de réseaux III-1- L’analyseur de réseaux vectoriel HP8753D III-2- Correction des erreurs
IV- Paramètres S et amplification de puissance IV-1- Gain en puissance d’un quadripôle unilatéralisé IV-2- Adaptation d’impédance : cas d’un quadripôle unilatéralisé IV-3- Exemple de quadripôle unilatéralisé IV-4- Gain en puissance d’un quadripôle réel IV-5- Exemple de quadripôle réel : cercles de stabilité a) adaptation simultanée, K>1 b) adaptation simultanée impossible, KVCB1
Figure 9 : La zone de déplétion de la jonction Collecteur – Base est d’autant plus grande que la tension VCB est grande, ce qui a pour effet de réduire la largeur de Base où les électrons injectés de l’Emetteur se recombinent avec les trous de la Base.
On observe aussi que l’allure du courant I C est modifiée pour les faibles tensions VCE , portion AO de la caractéristique de la figure 8. Quand la tension VCB , donc la tension VCE , 12
devient faible, les électrons injectés dans la Base ne sont plus suffisamment attirés par le Collecteur. Faisons un rapide calcul, prenons VBE = 0,6V , si VCE = 0,2V par exemple, on obtient VCB = VCE − VBE = −0,4V , la jonction Base – Collecteur est polarisée dans le sens passant. Pour attirer les électrons, et donc obtenir l’effet transistor, le Collecteur doit être porté à un potentiel positif par rapport à la Base, ce n’est plus le cas, c’est la raison pour laquelle le courant I C diminue. Si le point de fonctionnement du transistor se trouve sur la portion de caractéristique AO, le transistor est dit saturé et la relation I C = β I B ne tient plus, dans ce cas les courants I E et I B peuvent devenir du même ordre de grandeur alors que dans la portion AB, I B
