Memoria Ram Cache

Memoria Ram RAM o Random Access Memory (memoria de acceso aleatorio), es un tipo de memoria que utilizan las computadoras y otros dispositivos. Por lo general es usada para el almacenamiento temporal de información. Este tipo de memoria es volátil, por lo tanto su contenido se pierde al faltar la energía eléctrica. Su nombre se debe a que puede accederse a cualquier sector (o celda) de la memoria directamente con una dirección, a diferencia de las memorias de acceso secuencial. A nivel hardware estas memorias poseen un cableado interno que permite acceder a cada byte byte,, pues cada uno de ellos tiene un camino prefijado para accederlo. Las memorias RAM se pueden dividir en estáticas o dinámicas. Las estáticas (SRAM) mantienen la información mientras tengan corriente eléctrica, en cambio las dinámicas (DRAM) la información contenida en ellas debe ser restaurada constantemente constantemente (operación de refresco). Estas últimas suelen ser más baratas, y deben refrescar su contenido cientos de veces por segundo; es por esto que los chips que las componen consumen gran energía y deben ser controlados constantemente. Las SRAM no sólo son más rápidas que las DRAM, sino que no necesitan refrescar su contenido constantemente ya que físicamente están diseñadas para que los datos se mantengan estables en el tiempo mientras dispongan de electricidad. Estas memorias son más caras por su elevado número de transistores por bit y por lo tanto sólo se utiliza como memoria caché de los microprocesadores y poseen poca capacidad.

Actualmente, las memorias RAM pueden ser, según los tipos de conectores, SIMM, DIMM o RIMM. Todos nosotros sabemos lo básico sobre la RAM (Random Access Memory = Memoria de Acceso Aleatorio) de nuestra computadora. En analogías humanas, la RAM de la PC es donde se encuentran todos los "pensamientos" o datos mientras piensa en ellos o los procesa. La RAM se expresa en megabytes (MB). Así, por ejemplo si posees 32MB de RAM, entonces tu computadora puede mantener 32000 kilobytes de datos en su memoria. Y por supuesto, como buenos jugadores, sabemos que no hay nada mejor que tener mucha RAM, cuanto más tienes, más datos podrá tu computadora almacenar en su memoria rápida y más veloces se verán los juegos cuando los ejecutes. ¿Pero qué hay con todos los anacronismos y abreviaciones que representan los diferentes tipos de RAM? ¿Qué es un SIMM a un DIMM y que es SDRAM?. Esta es una corta guía que te proporcionará la información que necesitas para ser capaz de, si no logras hablar elocuentemente sobre la RAM, al menos no pasar por un ignorante.

SIMMS VS. DIMMS Físicamente,

la

RAM

viene

en

dos

formas:

SIMMs

y

DIMMs.

SIMM es un módulo simple de memoria y viene en una variedad de formatos, los más comunes son 30 y 72-pin. El viejo formato de 30-pin puede manejar datos solo en un 16-bits path, pero a medida que las computadoras se vuelven más rápidas, se vuelve necesario que utilices el formato de 72-pin que puede manejar datos en paths de 32-bit. Antes de los SIMMs, la RAM se instalaba horizontal o planamente en la placa madre. Los SIMMs montados verticalmente ocupan mucho menos espacio que las memorias previas. DIMMs, o Dual in-line memory modules, son similares en apariencia a los SIMMs, pero con una diferencia clave. Los pins en costados opuestos de un SIMM están electrónicamente unidos juntos, mientras que los pins en costados opuestos de un DIMM se mantienen separados, permitiendo que los DIMMs puedan manejar los datos al doble de velocidad en paths de 65-bit. En máquinas con microprocesador Pentium, se requiere que los SIMMs sean agregados de a pares, mientras que los DIMMs pueden ser agregados unitariamente.

TIPOS DE MEMORIA RAM

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DRAM (Dynamic RAM)

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VRAM (Vídeo RAM)

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SRAM (Static RAM)

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FPM (Fast Page Mode)

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EDO (Extended Data Output)

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BEDO (Burst EDO)

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SDRAM (Synchronous DRAM)

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DDR SDRAM ó SDRAM II (Double Data Rate SDRAM)

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PB SRAM (Pipeline Burst SRAM)

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RAMBUS

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ENCAPSULADOS

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SIMM (Single In line Memory Module)

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DIMM (Dual In line Memory Module)

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DIP (Dual In line Package)

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Memoria Caché ó RAM Caché

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RAM Disk

DRAM

(Dynamic) y SRAM (Static RAM), RAM estática

La RAM dinámica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que la RAM estática no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace más rápida, pero también más cara que la RAM dinámica. Ambos tipos son volátiles, lo que significa que pueden perder su contenido cuando se desconecta la alimentación.

VRAM

:

Siglas de Vídeo RAM, una memoria de propósito especial usada por los adaptadores de vídeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultánea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador gráfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos gráficos aunque es más cara que la una RAM normal.

SIMM

:

Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zócalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits.

DIMM

:

Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zócalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.

DIP : Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.

RAM Disk

:

Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces más rápidos que los discos duros, y son particularmente útiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco. Dado que están constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una vez que la computadora es apagada. Para usar los RAM Disk se precisa copiar los ficheros desde un disco duro real al inicio de la sesión y copiarlos de nuevo al disco duro antes de apagar la máquina. Observe que en el caso de fallo de alimentación eléctrica, se perderán los datos que hubiera en el RAM disk. El sistema operativo DOS permite convertir la memoria extendida en un RAM Disk por medio del comando VDISK, siglas de Virtual DISK, otro nombre de los RAM Disks.

SDRAM Siglas de Synchronous DRAM, DRAM síncrona, un tipo de memoria RAM dinámica que es casi un 20% más rápida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o más matrices de memoria interna de tal forma que mientras que se está accediendo a una matriz, la siguiente se está preparando para el acceso. SDRAM-II es tecnología SDRAM más rápida esperada para 1998. También conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bús.

FPM : Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leido pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en modo paginado tambien es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término "fast" fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso más.

EDO Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page. Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los más rápidos chips EDO, el rendimiento será el mismo que en el modo Fast Page. EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo. BEDO (Burst EDO) es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones.

PB SRAM Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a una categoría de técnicas que proporcionan un proceso simultáneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tuberia' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultáneamente. Por ejemplo, mientras una instrucción se está ejecutándo, la computadora está decodificando la siguiente instrucción. En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultáneamente varios pasos de operaciones de coma flotante La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8nanosegundos.

Evolución FPM-RAM  Fecha de introducción: 1990  Descripción de la tecnología  Aparece actualmente con dos  velocidades de acceso, 60  nanosegundos las más rápidas y  70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en  procesadores Pentium con  velocidades de bus de 66Mhz  (procesadores a 100, 133, 166 y  200Mhz) es necesario instalar  memorias de 60 nanosegundos  para no generar estados de  espera de la cpu. La FPMRAM se basa en que se  supone que el siguiente acceso a  un dato de memoria va a ser en la  misma fila que el anterior, con lo  que se ahorra tiempo en ese caso. El acceso más rápido de la FPM  RAM es de 5-3-3-3 ciclos de reloj  para la lectura a ráfagas de cuatro  datos consecutivos. Velocidad de transferencia: 200  MB/s 

EDO-RAM  Fecha de introducción: 1994  Descripción de la tecnología  Extended Data Output-RAM. Evoluciona  de la Fast Page; permite empezar a  introducir nuevos datos mientras los  anteriores están saliendo (haciendo su  Output), lo que la hace algo más rápida  (un 5%, más o menos). Muy común en los Pentium MMX y AMD  K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se  instala sobre todo en SIMMs de 72  contactos, aunque existe en forma de  DIMMs de 168. Velocidad de transferencia: 320 MB/s 

BEDO-RAM 

SDR SDRAM 

Fecha de introducción: 1997 

Descripción de la tecnología  Memoria RAM dinámica de acceso  síncrono de tasa de datos simple. La  diferencia principal radica en que este  tipo de memoria se conecta al reloj del  sistema y está diseñada para ser  capaz de leer o escribir a un ciclo de  reloj por acceso, es decir, sin estados  de espera intermedios. Este tipo de  memoria incluye tecnología  InterLeaving, que permite que la mitad  del módulo empiece un acceso  mientras la otra mitad está terminando  el anterior.

Descripción de la tecnología  Es una evolución de la EDO RAM y  competidora de la SDRAM. Lee los  datos en ráfagas, lo que significa que  una vez que se accede a un dato de  una posición determinada de memoria  se leen los tres siguientes datos en un  solo ciclo de reloj por cada uno de  ellos, reduciendo los tiempos de  espera del procesador. En la  actualidad es soportada por los  chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitación  de la BEDO RAM es que no puede  funcionar por encima de los 66 MHz. 

Velocidad de transferencia: Ofrece  tasas de transferencia desde 533 MB/s  hasta 1066 MB/s 1997 

Cuenta con tiempos de acceso de entre  25 y 10 ns y que se presentan en  módulos DIMM de 168 contactos en  ordenadores de sobremesa y en  módulos SO-DIMM de 72, 100, 144, o  200 contactos en el caso de los  ordenadores portátiles. 

PC66  Fecha de introducción: 1997 

Velocidad de transferencia  La velocidad de bus de memoria es de  66 MHz, temporización de 15 ns y  ofrece tasas de transferencia de hasta  533 MB/s.

PC100  Fecha de introducción: 1998  Velocidad de transferencia  La velocidad de bus de memoria es de  125 MHz, temporización de 8 ns y  ofrece tasas de transferencia de hasta  800 MB/s.

PC133  Fecha de introducción: 1999  Velocidad de transferencia  La velocidad de bus de memoria es de  133 MHz, temporización de 7,5 ns y  ofrece tasas de transferencia de hasta  1066 MB/s 

.DDR-SDRAM  Descripción de la tecnología  Son módulos compuestos por  memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que  permite la transferencia de datos por  dos canales distintos simultáneamente  en un mismo ciclo de reloj. Los  módulos DDRs soportan una  capacidad máxima de 1 GB. No hay diferencia arquitectónica entre  los DDR SDRAM diseñados para  diversas frecuencias de reloj, por  ejemplo, el PC-1600 (diseñado para  correr a 100 MHz) y el PC-2100  (diseñado para correr a 133 MHz). El  número simplemente señala la  velocidad en la cual el chip está  garantizado para funcionar. Por lo tanto  el DDR SDRAM puede funcionar a  velocidades de reloj más bajas para las  que fue diseñado o para velocidades  de reloj más altas para las que fue  diseñado.

PC1600 - DDR200  Fecha de introducción: 2001 Velocidad de transferencia  1600 MB/s 

PC3200  – DDR400  Fecha de introducción: Junio del  2004  Velocidad de transferencia  Esta tecnología de memoria RAM DDR  que trabaja a una frecuencia de 400  MHz con un bus de 200MHz y ofrece  una tasa de transferencia máxima de  3.2 GB/s.

PC2100 - DDR266  Fecha de introducción: 2002  Velocidad de transferencia  2133 MB/s 

PC2100 - DDR266  Fecha de introducción: A mediados  del 2003  Velocidad de transferencia Tecnología  de memoria RAM DDR que trabaja a  una frecuencia de 333 MHz con un bus  de 166MHz y ofrece una tasa de  transferencia máxima de 2.7 GB/s.

PC4200  – DDR533  Fecha de introducción : A mediados  del 2004  Velocidad de transferencia  Tecnologías de memoria RAM que  trabajan por encima de los 533MHz de  frecuencia ya son consideradas DDR2  y estas tienen 240 pines. Trabaja a una  frecuencia de 533 MHz con un bus de  133MHz y ofrece una tasa de  transferencia máxima de 4.2 GB/s.

PC4800  – DDR600  Fecha de introducción: A mediados  del 2004  Velocidad de transferencia  Tecnología de memoria RAM DDR2  que trabaja a una frecuencia de 600  MHz con un bus de 150MHz y ofrece  una tasa de transferencia máxima de  4.8 GB/s.

PC5300  – DDR667  Fecha de introducción: A finales del  2004  Velocidad de transferencia  Tecnología de memoria RAM DDR2  que trabaja a una frecuencia de 667  MHz con un bus de 166MHz y ofrece  una tasa de transferencia máxima de  5.3 GB/s.

PC6400  – DDR800  Fecha de introducción: A finales del 2004  Velocidad de transferencia Tecnología  de memoria RAM DDR2 que trabaja a una  frecuencia de 800 MHz con un bus de  200MHz y ofrece una tasa de transferencia  máxima de 6.4 GB/s.

DDR3  – 800  Fecha de introducción: Junio del 2004  Velocidad de transferencia  Posee el mismo número de pines que la  DDR2. A pesar de eso son incompatibles  con las DDR2, puesto que la muesca esta  ubicada en un lugar diferente. Trabajan a  un voltaje de 1.5V mientras que las DDR2  trabajan a 2.5, dándoles la ventaja de  menor consumo de energía. Trabaja a una  frecuencia de 800 MHz con un bus de  100MHz y ofre ce una tasa de transferen cia  máxima de 6.4 GB/s.

DDR3  – 1066  Fecha de introducción: Mayo del 2007  Velocidad de transferencia Tecnología  de memoria RAM DDR3 que trabaja a una  frecuencia de 1066MHz con un bus de  133MHz y ofrece una tasa de transferencia  máxima de 8.53 GB/s.

DDR3  – 1800  Fecha de introducción: Agosto de  2007  Velocidad de transferencia 14.40 GB/s  @ 1800 MHz 

DDR3  – 1333  Fecha de introducción: Mayo de 2007  Velocidad de transferencia  De las primeras memorias clasificadas  como de “Low - Latency” con velocidades de transferencia de 10.667 GB/s @ 1333  MHz 

DDR3  – 2000  Fecha de introducción: Marzo de  2008 (pruebas) Velocidad de transferencia  16.0 GB/s @ 2000 MHz 

DDR3  – 1600  Fecha de introducción: Julio de 2007  Velocidad de transferencia de la  información  12.80 GB/s @ 160 0 MHz 

RDRAM  Descripción de la tecnología  También llamadas Rambus, se  caracterizan por utilizar dos canales en  vez de uno con 184 pines y un bus de  16-bit 

RAMBUS PC600  Fecha de introducción: 1999  Velocidad de transferencia  1.06 GB/s por canal, que hacen en  total 2.12 GB/s @ 266MHz 

RAMBUS PC700  Fecha de introducción: 1999  Velocidad de transferencia  1.42 GB/s por canal, que hacen en  total 2.84 GB/s @ 356 MHz 

ESDRAM  Fecha de introducción: A mediados de año de  1999  Descripción de la tecnología  Esta memoria incluye una pequeña memoria  estática en el interior del chip SDRAM. Con  ello, las peticiones de ciertos ser resueltas  por esta rápida memoria, aumentando las  prestaciones. Se basa en un principio muy  similar al de la memoria caché utilizada en  los procesadores actuales. Velocidad de transferencia de la  información:  Hasta 1.6 GB/s @ 133MHz y hasta 3.2 GB/s  @ 150 MHz 

RAMBUS PC800  Fecha de introducción: 1999  Velocidad de transferencia  1.6 GB/s por canal, que hacen en total  3.2 GB/s @ 400 MHz 

Flash Memory  Este tipo de memoria se utiliza principalmente para almacenamiento, pero actualmente  Windows Vista nos la opción de utilizarla también como memoria RAM, a continuación  las características: 

Fecha de introducción  Fueron inventadas en 1984 (ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas  también en ese año en el IEEE-IEDM, pero fueron introducidas al mercado (las de tipo  NOR) en 1988 por Intel. En 1988 Toshiba anunció el tipo NAND en el ISSCC.

Descripción de la tecnología  Memoria no volátil con usos de en pequeños dispositivos basados en el uso de baterías  como teléfonos móviles, PDA, pequeños electrodomésticos, cámaras de fotos digitales, reproductores portátiles de audio o simples dispositivos de almacenamiento portátiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta 32GB, basadas en NOR y NAND.

Velocidad de transferencia  La velocidad de transferencia de estas tarjetas, al igual que la capacidad de las  mismas, se ha ido incrementando progresivamente, generalmente la velocidad es  mayor en lectura que en escritura. Las más comunes actualmente tienen una velocidad  de transferencia de ~20 MB/s, aunque la nueva generación de tarjetas permitirá  velocidades de hasta 30 MB/s.