Memoria Ram 6116

FACULTAD CARRERA PROFESIONAL CURSO SEMESTRE ACADÉMICO DOCENTES

: INGENIERÍA : INGENIERÍA ELECTRÓNICA : TALLER DE CIRCUITOS DIGITALES : 2012-01 : Ing. Ovidio Hildebran Hildebrando do Ramos Rojas : Ing. Marco Tulio Trujillo Silva : Ing. Kalun Jose Lau Gan

TALLER No. 09 CIRCUITO DE ALMACENAMIENTO DE INFORMACION (MEMORIAS) 1.

INTRODUCCIÓN Una de las partes más importantes de los sistemas digitales es la dedicada a almacenar información. Esta es la tarea de las memorias: Dispositivos que son capaces de proveer el medio físico para almacenar esta información. También se pueden utilizar para la implementación de circuitos combinacionales y pueden sustituir la mayor parte de la lógica de un sistema.

2. OBJETIVO: -

Realiza la implementación de un circuito de lectura y escritura de información

3. MATERIALES Y EQUIPOS -

Los materiales de los talleres anteriores

-

16 resistencias resistencias de 4.7k, 4.7k, (8) de 470Ω

-

01 Memoria RAM 6116 o 2114

-

01 circuito integrado 74LS244 (01) 74LS04

-

01 Protoboard

-

01 Multímetro

-

02 Cables para fuente

-

Cablecillos de conexión

4. PROCEDIMIENTOS: 4.1

Disponer de manera impresa la ficha técnica de los circuitos integrados 74LS244, MEMORIA 6116; se puede obtener de un manual ECG o del manual digital http://www.datasheetarchive.com/ o http://www.datasheetcatalog.com/ http://www.datasheetcatalog.com/..

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4.2

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Identificar la distribución y propósito de los pines de cada uno de los integrados.

CIRCUITO A IMPLEMENTAR:

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ANEXO

Memorias o

o

o

o

Las memorias son circuitos integrados que permiten almacenar información en f orma digital (“0” y “1”). Toda memoria posee celdas donde se almacena la información. El tamaño de esta celda es de 1bit. Normalmente las memorias organizan el almacenamiento de información en un arreglo o matriz de bits. Ejemplo : 1, 4 u 8 bits, 16, etc. Cada una de estas unidades de almacenamiento de información se referencia por medio de una dirección (Bus de Direcciones). La información viaja a la memoria a través del Bus de Datos. Toda memoria posee también líneas de control : Lectura (Read) y Escritura (Write).

Diagrama Bloques M E M Direcciones

“M”

O R

Datos “ ”

I A

Líneas Control R/W CS

o

o o

Terminal de Dirección: selecciona una de las “M” palabras. o M será potencia de 2 = 2 m = M Terminal entrada/salida de datos: en ellos colocamos /sacamos los datos (N líneas) Terminal de control: Son los que permiten especificar si se desea realizar una operación de escritura o de lectura, seleccionar el dispositivo. o Cs (chip select): Terminal para habilitar o deshabilitar datos o R/W o WE: selecciona la operación de lectura o escritura.

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Matriz de Almacenamiento de una memoria

celda

8 x1

8 x4

16 x4

Matriz 8 palabras de 1bits, matriz de 8 y 16 palabras de 4 bits

o

o o o o o

La información se almacena en una celda dispuesta por una fila y columna.

Celda : elemento básico de almacenamiento que contiene un 1 o un 0 Matriz de “M” filas y “N” columnas. Cada fila = palabra Cada Columna = longitud de palabra en bits. Ejemplo: memoria de 16x4 = 16 palabras de 4 bits. 1kbits = 1024 bits = 2 10 bits

Secuencia de operaciones básica en una memoria. Lectura:  o o o o

Colocar la dirección de la palabra en las líneas de dirección.  Activar CS en “0” Seleccionar operación de lectura Leer salida

Escritura:  o o o o

Colocar la dirección de la palabra a escribir en las líneas de dirección. Colocar el dato en la entrada Activar chip Seleccionar escritura (datos anteriormente se perderan)

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SRAM: 6116

Bus de direcciones: A o – A10 = 211 = 2048 direcciones. Bus de datos: I/O 0 – I/O7 = longitud de palabra = 8bits Nro de bits capaz de almacenar = 2kx8 = 2048 x 8 = 16384  /CS: patilla de selección de chip  /W : patilla de lectura/escritura