Laboratorio 4 Electronica V

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA INGENIERÍA EN IMT CAMPUS TIQUIPAYA

Evaluación

ELECTRÓNICA I Informe de Práctica de Laboratorio N° 4

RELACIÓN VCE-IC EN EL TRANSISTOR GRUPO “B” Estudiante: Quispe Condori vladimir Carrera: Ing. Mecatrónica Docente: Ing. Elias Chavez Cochabamba 31 de Octubre del 2021 Gestión II-2021

LABORATORIO 4 RELACIÓN VCE-IC EN EL TRANSISTOR

1.

ASIGNATURA:

Electrónica I

TEMA

Transistor de unión bipolar

SUBTITULO

Relación Vce - Ic

Elemento de estudio

Transistor de unión bipolar ,resistores .

Instrumentos de medición virtuales.

Gráficos analógicos ,Matlab .

Marco teórico Transistores NPN y PNP. PNP Y NPN El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrónica analógica. También en algunas aplicaciones de electrónica digital como la tecnología TTL o BICMOS. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensión mucho mayor.

2.

Resultados de Laboratorio

Parte 1:

Armar los circuitos mostrados en la figura.

Circuito armado en Proteus

Gráfica obtenida en Proteus

Tabla de datos VCE 0 0.2 0.4 1.4 3.6 5.8 8 10.2 12.4 14.6 16.8 19 20

Ic -9,81E-01 0.00163867 0.00196356 0.00199197 0.00205393 0.00211589 0.00217786 0.00223981 0.00230178 0.00236374 0.0024257 0.00248766 0.00251582

Grafica de los datos (MATLAB)

Circuito armado en Proteus para la ganancia de corriente

Gráfica obtenida en Proteus

Gráfica en MATLAB

Parte 4.2 Armar un circuito igual a la parte 1, usando un RB=1kΩ, usando el TIP122

Circuito armado en Proteus

Gráfica obtenida en Proteus

Tabla de datos VCE 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1

Ic -0.0040648 0.191496 0.526054 0.885981 125.547 162.965

1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 4.8 7 9.2 11.4 13.6 15.8 18 20

200.618 238.347 276.006 313.391 350.103 384.855 408.437 410.324 419.192 428.059 436.926 445.793 45.466 463.527 472.394 480.455

Grafica de los datos (MATLAB)

Circuito armado en Proteus para la ganancia de corriente

Gráfica obtenida en Proteus

Gráfica en MATLAB

3.

Cuestionario 1. Las tres terminales de un transistor de unión bipolar se llaman

(a) p, n, p (b) n, p, n (c) entrada, salida, tierra (d) base, emisor, colector 2. En un transistor pnp, las regiones p son (a) base y emisor (b) base y colector (c) emisor y colector 3. La 𝛽 de un transistor es su (a) ganancia de corriente (b) ganancia de voltaje (c) ganancia de potencia (d) resistencia interna 4. Si IC es 50 veces más grande que IB, entonces 𝛽 es (a) 0.02 (b) 100 (c) 50 (d) 500 4.

Conclusiones y recomendaciones

Con los resultados de este laboratorio se muestra que al variar un poco un el valor de beta que es constante, se obtienes resultados similares a los que se tendrían utilizando el valor de beta normal, también se mostro como es el funcionamiento de un transistor gracias a las graficas que se vieron por la toma de datos. Recomendación • • •

5.

Conocer de forma adecuada la relación de beta entre IC e IB Trabajar de forma ordenada y clara . Conocer las funciones de un transistor

Bibliografía

Anote la dirección web o el libro de donde extrajo el contenido del marco teórico.

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE EXAMEN PREVIO Estudiante: Solis Aneliz Fecha: / Carrera:IBI Asignatura: Electronica I Grupo: B Docente: Elias Chavez Laboratorio:4 Practica N0:4 Título de la Practica: Firma Estudiante: Firma Docente:

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Muestre usando capturas de pantalla las características eléctricas máximas de los transistores: 2N2222 y el TIP122. También debe mostrar las curvas de hfe vs Ic de ambos transistores.