Lab Oratorio 5 Curvas Caracteristicas Transistor Bipolar[1]

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PRACTICA DE LABORATORIO # 5 Curvas Características Transistor Bipolar 

OBJETIVOS •

•

Graficar la curva característica de entrada de un transistor bipolar, a partir de valores medidos. Graficar la familia de curvas características de salida de un transistor bipolar, a partir de valores medidos.

MATERIALES Y EQUIPOS Protobo Protoboard, ard, cables, cables, resisten resistencias, cias, transisto transistorr NPN (2N2222 (2N2222A), A), fuentes fuentes de aliment alimentació ación, n, multimetro. PROCEDIMIENTO 1.

Para el transisto transistorr NPN (2N2222 (2N2222A), A), identifiq identifique ue sus terminal terminales es (emisor (emisor,, base, base, colector) y con la utilización del multimetro realice la prueba del estado de este.

2.

Busque el datasheet datasheet del transistor NPN (2N2222A) y en la siguiente tabla anote el valo valorr corr corres espo pond ndie ient nte e a cada cada pará parám metro etro prop propor orci cion onad ado o en la hoja hoja de especificaciones del fabricante. Máxima Máxima Corrie Corriente nte de Colect Colector or (ICMA (ICMAX): X): Si se supe supera ra esta esta corriente los diodos internos sufren daños. Factor de Amplificación o Ganancia (HFE ó Beta): Este factor  indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base. Máximo Voltaje Colector Emisor (VCEMAX): Similar al voltaje de rupt ruptur ura a en los los diod diodos os,, pasa pasado do de este este lími límite te sufr sufre e daño daños s internamente el transistor. transistor. Máximo Voltaje Base Emisor (VBEMAX): Es el máximo voltaje que se puede aplicar a la unión base emisor. Máxima Potencia de Disipación (PD): En general depende del tipo de empaque utilizado.

3.

0.8 A 190 h FE 40v

6v .500W

Monte el circuito de la Figura 1.

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Bogotá, D.C. 2009

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PRACTICA DE LABORATORIO # 5 Curvas Características Transistor Bipolar  Figura 1 4.

Ajuste Ajuste el potenció potenciómet metro ro (RV1) (RV1) para obtener obtener los valores valores de corrient corriente e de base base (IB microamperios) que se indican en la siguiente tabla y complétela. =

5 ─ 10

16 ─ 25

30 ─ 50

120 ─ 200

IB (uA) Nominal IB (uA) Real

8uA

23.3uA

40uA

130.4u A

VBE (Voltios)

0.6v

0.62v

0.64v

0.67v

5.

Grafi Grafica carr los valores valores obteni obtenido dos s en la tabla tabla del punto punto ante anterio riorr, en los ejes ejes de IB Vs VBE (Curva característica de entrada del transistor NPN).

6.

Monte el circuito de la Figura 2.

Figura 2

7.

Para el circuito de la Figura 2, 2, ajuste el voltaje de la fuente “VCC” para que el Voltaje Colector─Emisor (V ( VCE) tome cada uno de los valores indicados para cada valor de corriente de base ( IB), si es necesario ajuste el voltaje de la fuente “ VBB” para mantener  IB constante, anotando el valor correspondiente de IC (Corriente colector), llenando la siguiente tabla. SHIRLEY RODRIGUEZ INSTRUCTORA C.E.E.T SENA

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PRACTICA DE LABORATORIO # 5 Curvas Características Transistor Bipolar  VCE (Voltios) 0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V 11V 12V 8.

IB0 = 0uA Ic0 (mA)

IB1 = 10uA Ic1 (mA)

IB2 = 20uA Ic2 (mA)

IB3 = 30uA Ic3 (mA)

IB4 = 40uA Ic4 (mA)

IB5 = 50uA Ic5 (mA)

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

1.18 2.25 2.27 2.29 2.31 2.34 2.36 2.39 2.41 2.43 2.45 2.47 2.49

2.96 4.50 4.53 4.57 4.66 4.68 4.72 4.76 4.80 4.84 4.89 4.92 4.97

2.37 5.95 6.05 6.10 6.14 6.18 6.25 6.30 6.39 6.45 6.50 6.57 6.61

4.74 8.48 8.57 8.64 8.73 8.81 8.98 9.00 9.06 9.14 9.25 9.32 9.40

2.38 10.4 10.5 10.5 10.6 10.7 10.8 10.9 11 11.1 11.3 11.3 11.4

Graficar los valores obtenidos de las curvas IB en los ejes de IC Vs VCE (Curva característica de salida del transistor NPN).

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