Informe Final 04: El Transistor Bipolar NPN Características Básicas Nestares A. Walter, Moreno P. Kevin, Guevara O. Ricardo
[email protected] [email protected] [email protected] [email protected] Resumen – En esta esta ocasión rrealizamos ealizamos el respectivo respectivo análisis del del circuito circuito mostrado en la guía anotando en el informe todos los resultados resultados obtenidos para su correcto correcto desarrollo y aprendizaje aprendizaje de los conceptos obtenidos durante las clases teóricas del curso de Dispositivos Electrónicos Electrónicos I.
Introducción:
El transistor bipolar NPN es un componente el cual posee tres tipos de terminales la cuales representan la extensión natural de los diodos; es decir, estos transistores estarían conformados por las junturas de dos diodos conectados de manera NP y PN. Los tres componentes serían entonces el colector, la base y el emisor. II. Materiales y Métodos: A. Equipos, Materiales Materiales y Herramientas Herramientas Utilizadas: Los materiales para el desarrollo del laboratorio fueron brindados por el Multisim, a continuación, se enlistarán estos objetos:
Fuente de poder DC Multímetro Microamperímetro Voltímetro Osciloscopio Transistor 2N3904 Resistores: Re 220 Ω , R c Condensadoress de 1MΩ Condensadore Cables y Conectores =
=
1 kΩ,R 1=56 kΩ
y R2
=
22 KΩ
Hoja técnica del Transistor está adjunto a este trabajo B. Esque squema mass: Lo primero que se nos pide en la guía es indicar las partes del transistor, es entonces que lo que tendremos que hacer es verificar la resistencia entre sus terminales o también mirándolo en la hoja técnica del transistor que se encuentra adjunta a este informe.
Se tendrán entonces las siguientes simulaciones de los circuitos en los cuales la primera imagen muestr mue straa a la medici medición ón resist resistenc encia ia dir direct ectaa base base emisor emisor,, la segun segunda da image imagen n mostra mostraría ría a la medición de la resistencia directa de la base al colector. Por último de estas imágenes, se tendrá la medición directa de la resistencia de el colector hacia el emisor.
Es ahora que después de haberse medido de manera directa todos los datos se tendrá que realiz rea lizarl arlo o nuevam nuevament entee de manera manera invers inversaa tenién teniéndos dosee que para para la primer primeraa figura figura se representaría la medición de la resistencia de manera inversa de la base al emisor, para la segunda figura sería la medición inversa de la l a resistencia de la base al colector y en el tercer caso sería la medición inversa del colector al emisor.
Después la guía nos pide armar un circuito con el transistor, teniéndose como primer paso siguiente el calcular las intensidades que entra a la base y que está saliendo del colector teniéndose ya una circulación de la corriente alrededor del circuito y a partir de ellos podremos calcular la Ganancia de corriente o el Beta.
La siguiente parte de la pregunta nos pide brindar los datos del voltaje que recorre al emisor, el voltaje entre emisor y base con al voltaje que existe entre el emisor y el colector,, teniéndose al final los resultados mostrados. colector
Se nos pidió ahora cambiar el valor de R1 teniéndose nuevos resultados en la corriente las cuales son un poco menores a las anteriores mostradas ligeramente.
Posteriormente se nos pide poner los resultados de los voltajes cuando se cambie la resistencia indicada, dándose así otra variación en cuanto a sus valores.
Ahora se nos pide buscar las intensidades de la base y el colector con el potenciómetro dado ajustado al 10 % primero.
Se tiene que ahora para que se tenga una resistencia de 250k en el potenciómetro este tendrá que estar al 25%
Posteriormente se pide calcular con respecto al potenciómetro a un valor de 500k obteniéndose entonces que este potenciómetro debe estar a un 50% para que este valor se pueda llegar a dar.
Por último, se pide cuando el potenciómetro se encuentre a 100% de su funcionalidad teniéndose entonces que los valores serían dados por los mostrados. Ahora continuaremos con la última parte que se tiene que hacer del experimento el cual nos pide mostrar los resultados dando uso de un osciloscopio teniéndose que:
Y es as asíí qu quee te tene nemo moss el vo volt ltaj ajee ge gene nera rado do por por el trans transis isto torr esta estaría ría dado dado po porr el osciloscopio. Ahora en las tablas nos piden tener estos cálculos sin el capacitor del emisor teniéndose entonces que:
A su vez nos piden volver a repetir los pasos que se hicieron antes con el cambio de las resistencias obteniéndose una nueva tabla en el osciloscopio:
Ahora para este caso también se tendrá que quitar el capacitor obteniéndose otra gráfica en el osciloscopio la cual estará dada por la siguiente imagen:
III.
Resultados:
Se tiene tiene entonc entonces es que da dado do estos estos result resultad ados os las respue respuesta stass estar estarían ían da dadas das por sus respectivas tablas como: Ahora dado el primer experimento que se hizo se obtuvieron los siguientes resultados:
Tabla 1 Para el primer caso de los puntos de la segunda parte de las intensidades y los voltajes se tendrá que los resultados estarán dados por la siguiente tabla
Tabla 2 Ahora teniéndose que cambiado el resistor se obtendrá una nueva tabla la cual estará dada por los siguientes datos:
Tabla 3 Ahora se nos piden los resultados con los cambios de los potenciómetros teniéndose que:
Tabla 4 Ahora por último se tendrán que colocar los resultados obtenidos en las últimas dos tablas las cuales estaría dado por:
Tabla 5
IV. Cuestionario: 1. Expl Explic icar ar el co comp mpor orta tami mien ento to del del tran transi sist stor or al re real aliz izar ar su veri verifi fica caci ción ón de operatividad con el ohmímetro. Se puede a llegar a comprender que el transistor estaría teniendo un comportamiento de tipo diodo dependiendo en que puerto es que conectamos el multímetro para poder medir 2. Rep Repre ressen enta tarr la re reccta de ca carrga en un gr grááfi ficco Ic vs Vce Vce del cir irccui uito to del experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 4.2, 4.3 y 4.5.
3. ¿En qué qué regiones regiones de trabaj trabajo o se encuent encuentran ran los puntos puntos de de las tablas tablas 3.2 y 3.3? 3.3? Se tendría que los puntos dados estarían en una zona de trabajo activa ya que está cumpliéndose los valores de la división de la intensidad de corriente entre la intensidad de la base cumpliéndose en ambos casos. 4. ¿Qué ¿Qué sucede sucedería ría con el punto punto de operac operación ión si cambiam cambiamos os R1 a 150K 150K ohmios? ohmios? Explicar los valores obtenidos. Pues como Pues como en el ca caso so en el que co const nstant antem ement entee aument aumentáb ábamo amoss la resist resisten encia cia del del potenciómetro, la intensidad y el voltaje de los puertos empezaría a descender de poco en poco. Esto se debe a que a una mayor resistencia dada, esta impide mucho más la circulación de la corriente alrededor de todo nuestro circuito 5. Indicar Indicar las diferenci diferencias as más importante importantess entre el circuito circuito de este este experiment experimento o con respecto al anterior. Más que todo la diferencia principal encontrada con respecto al anterior circuito es que este tiende a variar la resistencia que existe entre sus puertos dándonos una muestra de porqué sus partes estarían conformadas por PNP o por qué estarían dadas como NPN. 6. Exponer Exponer sus sus conclu conclusion siones es acerca acerca del experi experimento mento.. Hemos concluido como grupo que el desarrollo del BJT serviría como un amplificador si es que este es usado de manera correcta y conectado de la manera correspondiente evitando que se genere algún cortocircuito durante el proceso del experimento.
Otro punto que pudimos concluir es el comportamiento del BJT para ambos casos y su estrecha relación al comportamiento de los diodos en caso ya sea un transistor de tipo PNP como uno NPN V. [1]] [1
Bibliografía Matt Matthe hew w N. Sadik Sadiku u y Char Charle less K. Alex Alexan ande derr “Fun “Funda dame ment ntos os de Ci Circ rcui uito toss Eléctricos, aplicaciones de circuitos transistorados” Sexta Edición.
