Lab 5 Transistor Electronica Basica I

 

ELECTRONICA BASICA I LABORATORIO 5 RELACION VCE-Ic EN EL TRANSISTOR OBJETIVOS -  Conocer la teoría de funcionamiento del transistor BJT, las diferentes

configuraciones básicas de polarización. MATERIALES -  Protoboard. -  Fuente de alimentación. -  Resistencia 430kΩ  -  Resistencia 150kΩ. -  Resistencia de 1 KΩ  -  Multímetro -  Transistor 2N3643. PROCEDIMIENTO PARTE 5.1 En el circuito de la figura 1 calcular el valor de RB que permita iobtener como corriente de base i B = 10 u A

NOTA: El valor más próximo para RB puede producir u valor distinto de IB, de ser el caso, emplear este valor comercial e indicar el valor de IB que se obtendrá. Manteniendo el voltaje de base fijo y con la resistencia RB calculada en el párrafo anterior se obtiene el IB deseado, variar var iar la fuente VCC y medir el voltaje entre emisor colector con el objeto de trazar una curva VCE - IC. Empleando los valores de VCC que varían desde 0.2 v hasta 15 v y con intervalos de 0.2 v para realizar la siguiente tabla.

 

VCC V

VCE V

IC m A

Parte 5.2 Realizar la primera parte para una corriente de base IB 30 = u A Parte 5.3 Trazar la grafica (en papel milimetrado de la familia de curvas de ic en función de Vcepara los distintos valores de IB empleados en las anteriores practicas CALCULOS Y SIMULACIÓN PARTE 5.1 GRÁFICA 1 CIRCUITO EN PROTEUS CON RB 430KΩ, IB 10 u A, RC 1KΩ, TRANSISTOR  2N3643 

TABLAS 1 DATOS SIMULADOS EN PROTEUS DEL CIRCUITO EN PROTEUS CON RB 430KΩ, IB 10 u A, RC 1KΩ, TRANSISTOR 2N3643  N° 1 2 3 4 5

VCC V 0.2 0.4 0.6 0.8 1

VCE V 0.03 0.05 0.07 0.08 0.09

IC m A 0.16 0.34 0.53 0.72 0.9

6 7

1.2 1.4

0.11 0.13

1.09 1.27

 

8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38

1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 3.8 4. .4.2 4.4 4.6 4.8 5 5.2 5.4 5.6 5.8 6 6.2 6.4 6.6 6.8 7 7.2 7.4 7.6

0.16 0.26 0.45 0.65 0.84 1.04 1.23 1.43 1.63 1.82 2.02 2.21 2.41 2.61 2.8 3 3.19 3.39 3.58 3.78 3.98 4.17 4.37 4.56 4.76 4.96 5.15 5.35 5.54 5.74 5.94

1.44 1.54 1.55 1.55 1.56 1.56 1.57 1.57 1.57 1.58 1.58 1.59 1.59 1.59 1.60 1.60 1.61 1.61 1.62 1.62 1.62 1.63 1.63 1.64 1.64 1.64 1.65 1.65 1.66 1.66 1.66

39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

7.8 8 8.2 8.4 8.6 8.8 9 9.2 9.4 9.6 9.8 10

6.13 6.33 6.52 6.72 6.91 7.11 7.31 7.50 7.7 7.89 8.09 8.29

1.67 1.67 1.68 1.68 1.69 1.69 1.69 1.70 1.70 1.71 1.71 1.71

51 52

10.2 10.4

8.48 8.68

1.72

 

53 10.6 8.87 1.73 54 10.8 9.07 1.73 55 11 9.27 1.73 56 11.2 9.46 1.74 57 11.4 9.66 1.74 58 11.6 9.85 1.75 59 11.8 10 1.75 60 12 10.2 1.76 61 12.2 10.4 1.76 62 12.4 10.6 1.76 63 12.6 10.8 1.77 64 12.8 11 1.77 65 13 11.2 1.78 66 13.2 11.4 1.78 67 13.4 11.6 1.78 68 13.6 11.8 1.79 69 13.8 12 1.79 70 14 12.2 1.8 71 14.2 12.4 1.8 72 14.4 12.6 1.8 73 14.6 12.8 1.81 74 14.8 13 1.81 75 15 13.2 1.82 GRAFICA 2 CIRCUITO EN PROTEUS CON RB 150KΩ, IB 28.6 u A, RC 1KΩ, TRANSISTOR 2N3643

.

 

TABLAS 2 DATOS SIMULADOS EN PROTEUS DEL CIRCUITO EN PROTEUS CON RB 150KΩ, IB 28.6 u A, RC 1KΩ, TRANSISTOR 2N3643 N° 1

VCC V 0.2

VCE V 0.02

IC m A 0.18

 

2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32

0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 3.8 4. .4.2 4.4 4.6 4.8 5 5.2 5.4 5.6 5.8 6 6.2 6.4

0.03 0.04 0.05 0.05 0.06 0.06 0.07 0.07 0.08 0.08 0.09 0.09 0.09 0.10 0.11 0.11 0.12 0.12 0.13 0.14 0.15 0.16 0.18 0.23 0.4 0.58 0.77 0.96 1.15 1.33 1.52

0.37 0.56 0.75 0.94 1.14 1.33 1.53 1.72 1.92 2.11 2.31 2.51 2.71 2.9 3.09 3.29 3.48 3.68 3.87 4.06 4.25 4.44 4.62 4.77 4.8 4.82 4.83 4.84 4.85 4.87 4.88

33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44

6.6 6.8 7 7.2 7.4 7.6 7.8 8 8.2 8.4 8.6 8.8

1.71 1.9 2.09 2.27 2.46 2.65 2.84 3.02 3.21 3.4 3.59 3.78

4.89 4.9 4.91 4.93 4.94 4.95 4.96 4.98 4.99 5 5.01 5.02

45 46

9 9.2

3.96 4.15

5.04 5.05

 

47 9.4 4.34 5.06 48 9.6 4.53 5.07 49 9.8 4.71 5.09 50 10 4.9 5.10 51 10.2 5.03 5.11 52 10.4 5.28 5.12 53 10.6 5.47 5.13 54 10.8 5.65 5.15 55 11 5.84 5.16 56 11.2 6.03 5.17 57 11.4 6.22 5.18 58 11.6 6.4 5.2 59 11.8 6.59 5.21 60 12 6.78 5.22 61 12.2 6.97 5.23 62 12.4 7.15 5.25 63 12.6 7.34 5.26 64 12.8 7.53 5.27 65 13 7.72 5.28 66 13.2 7.91 5.29 67 13.4 8.09 5.31 68 13.6 8.28 5.32 69 13.8 8.47 5.33 70 14 8.66 5.34 71 14.2 8.84 5.36 72 14.4 9.03 5.37 73 14.6 9.22 5.38 74 14.8 9.41 5.39 75 15 9.6 5.4 GRÁFICA 3 CURVA DE CIRCUITO EN PROTEUS CON RB 430KΩ, IB 10 u A, RC 1KΩ, TRANSISTOR  2N364 

 

GRAFICA 4 CIRCUITO EN PROTEUS CON RB 150KΩ, IB 28.6 u A, RC 1KΩ, TRANSISTOR  2N3643

TABLAS .3 DATOS MEDIDOS EN LABORATORIO DEL CIRCUITO CON RB 430KΩ, IB 10 u A, RC 1KΩ, TRANSISTOR 2N3643  N° 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13

VCC V 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6

VCE V 0.02 0.04 0.06 0.08 0.09 0.11 0.12 0.15 0.21 0.4 0.6 0.8 1.0

IC m A 0.14 0.26 0.49 0.7 0.9 1.01 1.21 1.34 1.5 1.5 1.5 1.53 1.53

14 15

2.8 3

1.1 1.3

1.56 1.56

 

16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46

3.2 3.4 3.6 3.8 4. .4.2 4.4 4.6 4.8 5 5.2 5.4 5.6 5.8 6 6.2 6.4 6.6 6.8 7 7.2 7.4 7.6 7.8 8 8.2 8.4 8.6 8.8 9 9.2

1.6 1.8 2. 2.21 2.41 2.61 2.8 3 3.19 3.39 3.58 3.78 3.98 4.17 4.37 4.56 4.76 4.96 5.15 5.35 5.54 5.74 5.94 6.13 6.33 6.52 6.72 6.91 7.11 7.31 7.50

1.56 1.57 1.57 1.58 1.58 1.58 1.59 1.59 1.60 1.60 1.61 1.61 1.61 1.62 1.62 1.62 1.62 1.63 1.64 1.64 1.64 1.64 1.65 1.65 1.67 1.67 1.67 1.69 1.69 1.69 1.70

47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58

9.4 9.6 9.8 10 10.2 10.4 10.6 10.8 11 11.2 11.4 11.6

7.7 7.89 8.09 8.29 8.48 8.68 8.87 9.07 9.27 9.46 9.5 9.6

1.70 1.71 1.71 1.71 1.72 1.72 1.73 1.73 1.73 1.74 1.71 1.72

59 60

11.8 12

9.9 10.

1.72 1.73

 

61 12.2 10.1 1.73 62 12.4 10.2 1.73 63 12.6 10.3 1.74 64 12.8 10.5 1.74 65 13 11 1.74 66 13.2 11.1 1.75 67 13.4 11.2 1.75 68 13.6 11.3 1.76 69 13.8 11.9 1.77 70 14 12 1.7 71 14.2 12. 1.7 72 14.4 12.1 1.7 73 14.6 12.3 1.71 74 14.8 12.5 1.71 75 15 12.7 1.72 GRÁFICA 5 CURVA DE CIRCUITO MEDIDO EN LABORATORIO CON RB 430KΩ, IB 10 u A, RC 1KΩ, TRANSISTOR 2N222 

TABLAS 4

DATOS MEDIDOS DEL CIRCUITO EN LABORATORIO CON RB 150KΩ,  IB 28.6 u A, RC 1KΩ, TRANSISTOR 2N3643

N°

VCC V

VCE V

IC m A

 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31

0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 3.8 4. .4.2 4.4 4.6 4.8 5 5.2 5.4 5.6 5.8 6 6.2

0.02 0.04 0.04 0.05 0.05 0.06 0.06 0.07 0.07 0.07 0.08 0.08 0.09 0.09 0.09 0.10 0.10 0.11 0.11 0.12 0.13 0.13 0.14 0.15 0.2 0.3 0.48 0.67 0.86 1 1.1

0.1 0.2 0.34 0.5 0.7 0.9 1 1.2 1.3 1.5 1.9 2 2.1 2.3 2.5 2.7 2.9 3 3.1 3.3 3.5 3.9 4 4.2 4.3 4.5 4.56 4.6 4.6 4.7 4.7

32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43

6.4 6.6 6.8 7 7.2 7.4 7.6 7.8 8 8.2 8.4 8.6

1.2 1.51 1.8 2. 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.5

4.7 4.7 4.8 4.8 4.8 4.8 4.8 4.8 4.9 4.9 5 5

44 45

8.8 9

3.7 3.8

5 5.01

 

46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75

9.2 9.4 9.6 9.8 10 10.2 10.4 10.6 10.8 11 11.2 11.4 11.6 11.8 12 12.2 12.4 12.6 12.8 13 13.2 13.4 13.6 13.8 14 14.2 14.4 14.6 14.8 15

4. 4.2 4.4 4.5 4.7 5 5.1 5.3 5.4 5.5 6. 6.2 6.4 6.5 6.6 6.7 7 7.1 7.3 7.4 7.5 8 8.1 8.2 8.4 8.7 9 9.1 9.2 9.3

5.02 5.02 5.03 5.03 5.09 5.1 5.1 5.11 5.11 5.13 5.13 5.13 5.15 5.16 5.16 5.17 5.2 5.2. 5.2 5.2 5.21 5.22 5.22 5.23 5.23 5.23 5.3 5.31 5.31 5.35

GRÁFICA 6 CURVA DE CIRCUITO MEDIDO EN LABORATORIO CON RB 430KΩ, IB 10 u A, RC 1KΩ, TRANSISTOR 2N222

 

 

CONCLUSIONES -  LA relación VCE E IC en el transistor nos da la IB  en forma de curva que se

evidencia tanto en la simulación como en lo medidos en laboratorio. -  Con IB con 10 u A y 30 u A se evidencia la acción del transistor en su zona activa, siendo el de 30 u A una curva más alta que la de 10 u A. -  Se evidencio la curva característica tanto en al simulación. OBSERVACIONES  A no haber en laboratorio transistor 2N3643 se trabajó con el transistor 2N2222 CUESTIONARIO 1. QUE TIPO DE POLAR POLARIZACION IZACION SE USA EN ESTA PRACTICA R. NPN Emisor común, BASE-EMISOR polarizado directamente y COLECTOR BASE polarizado inversamente. 2. EL PUNTO DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR EN ESTA CONFIGURACION VARIA POCO, MUCHO O NADA CON EL CAMBIO DE BETA. R. si afecta ya que que beta nos indica el valor de eficacia del transistor.