La Memoria ROM - Chips Actuales y Sus Características

La memoria ROM: chips actuales y sus características

Nicolás Ruiz Requejo

ÍNDICE 1. MEMORIAS ROM ¿QUÉ SON? .................................................................................................................. 3 1.1. IDEA BÁSICA DEL FUNCIONAMIENTO.......................................................................................... 3 2. FAMILIA DE LAS MEMORIAS ROM ....................................................................................................... 3 2.1. LA ROM DE MÁSCARA ...................................................................................................................... 4 2.2. MEMORIAS PROM ............................................................................................................................... 4 2.3. MEMORIAS EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) ................................................. 5 2.3.1. UV EPROM:..................................................................................................................................... 5 2.3.2. OTPROM: ........................................................................................................................................ 5 2.4. EEPROM:................................................................................................................................................ 5 2.5. MEMORIAS FLASH.............................................................................................................................. 5 2.5.1. CÉLULA DE MEMORIA FLASH .................................................................................................. 5 2.5.2. FUNCIONAMIENTO BÁSICO: ..................................................................................................... 6 2.5.3. TIPOS DE MEMORIA FLASH ....................................................................................................... 6 2.5.4. TECNOLOGÍAS FLASH: ............................................................................................................... 7 2.6. EEPROM Y FLASH SERIE: .................................................................................................................. 7 2.7. COMPARACIÓN DE LAS MEMORIAS FLASH CON OTRAS MEMORIAS: ................................. 7 3. USO Y APLICACIONES DE LAS MEMORIAS ROM: ............................................................................. 7 3.1. ALMACENAMIENTO DE SOFTWARE: ............................................................................................. 7 3.2. ALMACENAMIENTO DE DATOS: ..................................................................................................... 8 3.3. GENERADOR DE FUNCIONES .......................................................................................................... 8 4. FABRICANTES DE CHIPS - CARACTERÍSTICAS: ................................................................................. 8 4.1. RENESAS TECHNOLOGY (Hitachi & Mitsubishi Electric Corp.)...................................................... 8 4.2. MICRON ................................................................................................................................................. 9 4.3. ATMEL ................................................................................................................................................... 9 4.4. MICROCHIP TECHNOLOGY INC. ................................................................................................... 10 4.5. MICROSEMI (antes llamado Actel) ..................................................................................................... 10 4.6. SAMSUNG ........................................................................................................................................... 10 4.7. COMERCIALIZACIÓN DE EPROM .................................................................................................. 10 Bibliografía ...................................................................................................................................................... 11

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1. MEMORIAS ROM ¿QUÉ SON? La memoria de solo lectura o ROM (acrónimo en inglés de Read-Only-Memory) es esencialmente un dispositivo de almacenamiento no-volátil; es decir, los valores de los bits almacenados se conservan de forma permanente o semipresente sin la necesidad de una fuente de alimentación para mantener memorizados los valores de los bits. 1.1. IDEA BÁSICA DEL FUNCIONAMIENTO La ROM consta de n entradas que, en conjunto, se denominan bus de direcciones, y de m salidas de datos que, juntas, forman el bus de datos. Adicionalmente tienen algunas señales de control. La ROM se identifica determinando su capacidad de almacenamiento. Esta capacidad de almacenamiento se mide normalmente en bits y está relacionada con las líneas de direcciones n, y las líneas de datos m, mediante la expresión: Capacidad(bits) = 2n × m Internamente, podemos considerar que la ROM está formada por un conjunto de celdas (que contienen un 1 o un 0) organizadas en 2n filas y m columnas. De forma que cuando se selecciona una fila (para una determinada combinación de valores en el bus de direcciones), los bits contenidos en las celdas de dicha fila, salen por el bus de datos. Una ROM de 2n × m, está formada por un decodificador de m líneas de entrada, 2n × m fusibles o interconexiones y m puertas OR. La figura 2 esquematiza una ROM de 4x2. El decodificador, en función de la combinación de entrada aplicada al bus de direcciones activa una fila (esto es, pone un 1 lógico a la salida de la fila 0, 1, 2 ó 3). Los fusibles permiten la interconexión de las salidas del decodificador con las entradas de las puertas OR, las cuales generan cada una de las líneas del bus de datos. Un fusible puede estar fundido o sin fundir. En el primer caso, se elimina la interconexión entre la fila y la columna correspondientes. Esto provoca que dicha columna introduzca un 0 lógico a la entrada de la OR, gracias a la resistencia de pull-down. En el segundo caso, el fusible sin fundir, establece conexión entre la fila y la columna; y, en el supuesto que dicha fila esté activa (1 lógico), la columna correspondiente también se activa, provocando que se active la salida asociada del bus de datos. Podemos intuir que la existencia de un fusible fundido o sin fundir provoca el almacenamiento de un 0 o un 1 respectivamente. Los dispositivos ROM tienen líneas de control que permiten su habilitación, lectura, etc. La más habitual es CS (ChipSelect); cuando CS está inactivo la ROM esta inhabilitada, pasa a un modo de bajo consumo (standby) y sus salidas se ponen en alta impedancia; si CS está activo, la ROM está habilitada y opera.

Figura 1. Esquema de bloques ROM8x4 y tabla de contenido.

Figura 2. Esquema ROM4x2 a nivel lógico.

2. FAMILIA DE LAS MEMORIAS ROM Las memorias ROM han evolucionado gradualmente desde memorias fijas de sólo lectura hasta convertirse en memorias que pueden programarse y reprogramarse. En el siguiente esquema se muestra cómo se clasifican las memorias ROM semiconductoras.

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2.1. LA ROM DE MÁSCARA Es el más antiguo tipo de estado sólido ROM, normalmente cuando utilizamos el término ROM nos estamos refiriendo al tipo de ROM de máscara. La ROM de máscara se construye como cualquier otro chip de circuito integrado, con los datos cableados en el chip durante el proceso de fabricación, por lo que su contenido no podrá volver a cambiarse. Esto presenta dos problemas: • •

La etapa de inserción de datos implica unos costes fijos relativamente grandes, tanto si se va a fabricar una o miles de copias de una misma ROM. No se permite un fallo. Si uno de los bits es erróneo, debe desecharse la tirada completa de chips de memoria ROM.

La figura 3 muestra celdas de tecnología MOS utilizadas en una ROM de máscara. La presencia de una conexión desde una línea de fila a la puerta de un transistor representa un 1 en esa posición, ya que, cuando la línea de fila está a nivel ALTO, todos los transistores con conexión de puerta a esa línea de fila conducen, y ponen a nivel ALTO (1) a las líneas de columna asociadas. En las uniones de fila/columna en las que no existe conexión de puerta, las líneas de columna permanecen a nivel BAJO (0) cuando se direcciona la fila. A pesar de la simplicidad de la ROM de máscara, los dispositivos reprogramables son más flexibles y económicos, por lo cual las antiguas ROM de máscara no se suelen encontrar en hardware producido a partir de 2007.

Figura 3

2.2. MEMORIAS PROM Cuando se necesitan solo unas pocas ROM con un contenido particular, una alternativa más económica es la ROM programable (PROM). Al igual que las ROM, las PROM son no volátiles y pueden grabarse solo una vez. Para la PROM, el proceso de escritura se lleva a cabo eléctricamente y puede realizarlo el cliente con posterioridad a la fabricación del chip. Las PROM utilizan algún tipo de mecanismo de fundición para almacenar bits, donde un hilo de memoria se funde o queda intacto para representar un 0 o un 1. El proceso de fundición es irreversible. La figura 4 muestra una celda MOS de una PROM con hilos fusibles. Los fusibles se introducen en la PROM (durante el proceso de fabricación) entre la fuente del transistor de cada celda y su línea de columna. Durante el proceso de programación, se introduce una corriente adecuada a través del hilo fusible para fundirlo y que permanezca abierto (almacenando un 0). El fusible se deja intacto para almacenar un 1. Los tres tipos básicos de tecnologías de fusibles utilizados en las PROM son las conexiones de metal, las conexiones de silicio y las uniones pn.

Figura 4. Celda PROM.

Las PROM proporcionan flexibilidad y comodidad. Las ROM siguen siendo atractivas para tiradas de producción de gran volumen. 4

2.3. MEMORIAS EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) Una EPROM es una PROM borrable. Una EPROM utiliza una matriz NMOSFET (transistor de efecto de campo MOS) con una estructura de puerta aislada. La puerta del transistor aislada no tiene ninguna conexión eléctrica y puede almacenar una carga eléctrica durante un período de tiempo indefinido. Los bits de datos en este tipo de matriz se representan mediante la presencia o ausencia de una carga almacenada en la puerta. El borrado de un bit de datos es un proceso que elimina la carga de la puerta. Los dos tipos fundamentales de memorias PROM borrables son las PROM borrables por rayos ultravioleta (UV EPROM) y las PROM borrables eléctricamente (EEPROM). 2.3.1. UV EPROM: Una UV EPROM se puede reconocer por la ventana de cuarzo transparente de su encapsulado. Antes de la operación de escritura, todas las celdas de almacenamiento deben primero borrarse a la vez, mediante la exposición del chip encapsulado a radiación ultravioleta. Este proceso de borrado puede realizarse repetidas veces; cada borrado completo puede durar desde unos minutos hasta una hora. Así pues, las UV EPROM pueden modificarse múltiples veces y, al igual que las ROM y las PROM, retienen su contenido, en teoría indefinidamente. Para una capacidad similar, una UV EPROM es más costosa que una PROM, pero tiene como ventaja adicional la posibilidad de actualizar múltiples veces su contenido. Los chips de UV PROM disponen de una entrada de control adicional para permitir su reprogramación tras el borrado, suele llamarse ���� /PGM (chip enable/program). 𝐶𝐶𝐶𝐶

Figura 5. PROM borrable por rayos ultravioleta

2.3.2. OTPROM: La única diferencia con la EPROM es la ausencia de la ventana de cuarzo, por lo que no puede ser borrada. 2.4. EEPROM: Esta es una memoria en la que se puede escribir en cualquier momento sin borrar su contenido anterior; solo se actualiza el byte o bytes direccionados. La operación de escritura consume un tiempo considerablemente mayor que la de lectura; del orden de cientos de microsegundos por byte. La EEPROM combina la ventaja de ser no volátil, con la flexibilidad de ser actualizable in situ, utilizando las líneas de datos, de direcciones y de control de un bus ordinario. Las EEPROM son más costosas que las UV EPROM y también menos densas, admitiendo menos bits por chip. Los dos tipos de EEPROM son la MOS de puerta flotante y la de silicio óxido nitroso metal (MNOS, Metal Nitride-Oxide Silicon). La aplicación de una tensión en la puerta de control de la estructura de puerta flotante permite la eliminación y el almacenamiento de la carga en la puerta flotante. 2.5. MEMORIAS FLASH Las memorias flash (denominada así por la velocidad a la que puede reprogramarse, derivada de la EEPROM) fueron introducidas a mediados de los 1980, son memorias de lectura/escritura de alta densidad (gran capacidad de almacenamiento) no volátiles. La característica de alta densidad se consigue en las memorias flash con una célula de almacenamiento compuesta por un único transistor MOS de puerta flotante. 2.5.1. CÉLULA DE MEMORIA FLASH La figura 6 representa una célula monotransistor de una memoria flash.

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Figura 6

2.5.2. FUNCIONAMIENTO BÁSICO: Hay tres operaciones principales en una memoria flash: programación, lectura y borrado. Programación. La operación de programación añade electrones a la puerta flotante de aquellas células que deban almacenar un 0 aplicando una tensión suficientemente positiva con respecto a la fuente de manera que se atraen electrones a la puerta flotante. No se añade carga a aquellas células que deban almacenar un 1. Una vez programada, una célula puede conservar la carga durante 100 años sin necesidad de aplicar una alimentación externa. Lectura. Durante la lectura, se aplica una tensión positiva a la puerta de control. La cantidad de carga presente en la puerta flotante de una célula determina si la tensión aplicada a la puerta de control activará, o no, el transistor. Si hay almacenado un 1, la tensión de la puerta de control es suficiente para activar el transistor. Si hay almacenado un 0, el transistor no se activará, porque la tensión de la puerta de control no es suficiente para contrarrestar la carga negativa almacenada en la puerta flotante. Cuando el transistor se activa, existe corriente desde el drenador hacia la fuente del transistor de la célula. La presencia o ausencia de esta corriente es detectada para indicar un 1 o un 0, respectivamente. Esta idea se ilustra en la figura 8. Borrado. Durante la operación de borrado, se elimina la carga de todas las células de memoria. Para ello, se aplica a la fuente del transistor una tensión suficientemente positiva con respecto a la puerta de control. Esta tensión atrae a los electrones de la puerta flotante y hace que ésta se vacíe de carga, como se ilustra en la figura 9. Las memorias flash siempre se borran antes de volver a ser programadas. Se borran por bloques.

Figura 7. Operación de programación

Figura 8. Operación de lectura.

Figura 9.Operación de borrado.

2.5.3. TIPOS DE MEMORIA FLASH A nivel de lógica digital la memoria flash está fabricada con puertas NAND o NOR. Tradicionalmente sólo almacenan un bit de información. Las nuevas memorias flash, llamadas también dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar más de un bit por celda variando el número de electrones que almacenan. • FLASH DE TIPO NOR: su funcionamiento es el explicado en el apartado 2.5.2. Permiten acceso aleatorio. La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupción de datos. • FLASH DE TIPO NAND: tienen un funcionamiento ligeramente diferente, usan un túnel de inyección para la escritura y para el borrado un túnel de 'soltado'. Tienen un costo bastante inferior a las flash de tipo NOR, una resistencia diez veces mayor a las operaciones pero solo permiten acceso secuencial. Es el tipo de memoria flash que se suele usar para almacenamiento masivo y el que ha permitido la expansión de la memoria flash. Su velocidad de operación es menor que la memoria flash NOR y su fiabilidad en cuanto al almacenamiento de los datos en comparación con la flash tipo NOR es bastante escasa por lo que requieren corrección de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como erróneos e inservibles.

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2.5.4. TECNOLOGÍAS FLASH: • • •

SLC (Single Level Cell): cada celda de memoria puede almacenar un solo bit. MLC (Multi Level Cell): se opta por almacenar dos bits por celda. Se producen caídas de rendimiento en la lectura y escritura. Además se empeora la durabilidad. TLC (Triple Level Cell): almacenan tres bits por celda. En principio de empeoran los aspectos negativos de MLC pero beneficia en mayores densidades a precios más bajos.

2.6. EEPROM Y FLASH SERIE: Los chips de memoria serie se diferencian del resto de chips de memoria en su forma de comunicación con el sistema donde se vayan a emplear. A diferencia de chips que utilizan un bus de datos paralelo donde el ancho del bus suele corresponderse con el ancho de palabra de la memoria, en los chips de bus serie la transmisión se realiza bit a bit sincronizados con una señal de reloj. Los protocolos de comunicación serie más empleados por los fabricantes son: • I2C (Inter-Integrated Circuit): utiliza dos líneas para transmitir la información: una para los datos y otra para la señal de reloj (SDA y SCL). • Microwire: utiliza 3 líneas, una señal de entrada otra de salida y una señal de reloj para sincronizar las dos anteriores (SI, SO, CLK). • SPI (Serial Peripheral Interface): la sincronización y la transmisión de datos se realiza por medio de 4 señales (SCLK, MOSI, MISO, Select). 2.7. COMPARACIÓN DE LAS MEMORIAS FLASH CON OTRAS MEMORIAS: Las memorias flash se encuentran, en coste y en funcionalidad, entre las EPROM y las EEPROM. Al igual que las EEPROM, las flash utilizan una tecnología de borrado eléctrico. Una memoria flash puede borrarse entera en uno o unos cuantos segundos, mucho más rápido que las EPROM. Además, es posible borrar solo bloques concretos de memoria en lugar de todo el chip. Sin embargo, las memorias flash no permiten borrar a nivel de byte como las EEPROM. Al igual que las EPROM, las flash utilizan solo un transistor por bit, consiguiéndose las altas densidades (comparadas con las EEPROM) que alcanzan las EPROM. Como curiosidad las memorias flash deben su nombre a que su microchip está organizado de manera que cada una de sus secciones de celdas se borra mediante una única acción, de un golpe o flash. 3. USO Y APLICACIONES DE LAS MEMORIAS ROM: 3.1. ALMACENAMIENTO DE SOFTWARE: El almacenamiento de software es uno de los usos potenciales de los chips de ROM y han sido utilizados en el mundo de la electrónica durante décadas para este propósito en múltiples y diversos tipos de sistemas digitales. A comienzos de los 1980 los ordenadores domésticos venían con todo su sistema operativo en ROM. Algunos ejemplos son; el caso de la Sinclair ZX Spectrum que incluía su sistema en un chip PROM D23128C del fabricante de semiconductores NEC, en este caso y similares por aquellos años actualizar a una nueva versión suponía tener que desoldar el antiguo chip PROM para poder soldar un nuevo chip que contenía la nueva versión del sistema; ejemplos más recientes son los sistemas de algunas videoconsolas como la Play Station de sony (1994) y posteriormente Play Station 2 que almacenaban su sistema en un chip ROM de 512 KB. Las memorias ROM han sido usadas tradicionalmente para grabar el firmware de numerosos tipos de dispositivos electrónicos. Algunos tan usuales como mandos de control remoto para televisión, dispositivos multimedia, electrodomésticos, sistemas de control, automoción. En los dispositivos nombrados anteriormente la memoria ROM suele venir integrada como parte de un microcontrolador; los microcontroladores PIC de Microchip Technology Inc. en sus modelos actuales disponen de 256 bytes a 256 kilobytes de ROM; el microcontrolador de la serie 4282E2 de Mitsubishi Electric integra una ROM de máscara de 10kBytes para almacenar el firmware, philips lo utiliza en algunos modelos de mando a distancia para equipos musicales. Otro caso muy significativo del uso de la memoria ROM para almacenamiento de firmware son las BIOS de los computadores. En el IBM PC la BIOS venía almacenada en una PROM de 8KiB; más tarde se 7

comenzaron a emplear memorias EPROM para almacenar la BIOS, la ventana de cuarzo a veces venía tapada con una etiqueta con los datos del fabricante, para actualizar la BIOS había que extraer el chip EPROM de la placa madre y utilizar un borrador de EPROM con luz ultravioleta para poder reprogramarse posteriormente; la BIOS a partir de mediados de 1990 vienen grabadas en una memoria flash de manera que la actualización la puede realizar el propio usuario in situ sin manipular elemento de hardware alguno ya que las flash son borradas y reprogramadas eléctricamente dentro del mismo sistema. En la actualidad debido a su relación de coste, alta densidad y característica de reprogramación la memoria flash se está empleando en sistemas que necesitan una constante actualización de su firmware y software de sistema para mejora de características y corrección de problemas como los smartphones; dispositivos multimedia de última generación y videoconsolas a partir de la séptima generación en adelante, por ejemplo la Wii de Nintendo almacena su firmware y software de sistema (subrutinas de biblioteca...) en una memoria flash de 512 MB, este firmware es actualizable mediante conexión a internet. La memoria EEPROM se está utilizando en sistemas donde el coste no es tan importante y en microcontroladores y procesadores digitales de señales para lograr mayores velocidades. 3.2. ALMACENAMIENTO DE DATOS: La memoria ROM y PROM al no poder ser modificado su contenido posteriormente a su programación solo resulta apropiada para almacenar datos que no necesiten ser modificados durante la vida del dispositivo. Con este fin, la ROM y PROM se ha utilizado en muchos ordenadores para guardar tablas de consulta, utilizadas para la evaluación de de funciones matemáticas (trigonometría, tablas de logaritmos) y lógicas. Un ejemplo de este tipo de uso se da con la creación de las primeras memorias PROM que fueron usadas por primera vez por la fuerza aérea de los Estados Unidos para conseguir una forma más segura y flexible de almacenar las constantes de los objetivos en la computadora digital del MBI (Misil Balístico Internacional) Atlas E/F. Con el paso de los años el uso de la ROM para almacenar grandes cantidades de datos ha ido desapareciendo casi completamente en los ordenadores de propósito general, mientras que las aplicaciones de la memoria flash en este ámbito han ido tomando protagonismo. La memoria flash está muy vinculada con el avance del resto de tecnologías a los que presta sus servicios: routers, módems, BIOS de PC, wireless. Es empleada en los dispositivos de almacenamiento masivo USB; tarjetas de memoria SD, Compact Flash, XD; ha supuesto la revolución de la industria discográfica con el desarrollo de reproductores de música portátiles que desechan la cinta magnética; gracias al crecimiento de la escala de integración se está empleando la memoria flash como sustituto del disco duro magnético, lo que se denomina SSD (acrónimo de Solid-State-Drive). Otros desarrollos interesantes relacionados con el empleo de la tecnología de la memoria flash se enfoca en usar memoria flash como memoria principal del ordenador, DRAM, de momento es más lenta que la DRAM convencional pero consume diez veces menos energía y es más barata. 3.3. GENERADOR DE FUNCIONES Se basa en la característica de las memorias ROM 2nxm, que dada una ROM de n líneas de dirección y m líneas de datos puede implementar m funciones de conmutación de n variables sin más que grabar en cada columna de la memoria ROM el contenido de la tabla de verdad de la función de conmutación correspondiente que se quiera implementar, pudiendo concebirse así a una memoria ROM como un subsistema combinacional para la generación de funciones de conmutación. Se han venido empleando pequeñas PROM para este uso, a veces se prefieren a las ROM porque conseguían mayores velocidades. 4. FABRICANTES DE CHIPS - CARACTERÍSTICAS: A continuación se ofrece una vista general de la oferta de ROM en el mercado actualmente por algunos fabricantes de semiconductores. 4.1. RENESAS TECHNOLOGY (Hitachi & Mitsubishi Electric Corp.) En lo referente a memorias ROM Renesas dispone actualmente de una oferta de chips de memoria EEPROM y flash:  EEPROM: Proporciona una amplia gama de memorias EEPROM serie y paralela 8

•

EEPROM serie: utilizan interfaz I2C (sistema de 2 hilos) o camino de conexión directa SPI con el microcomputador si es posible, integra función de seguridad de datos, voltaje de operación de 1,8v-5,5v, soporta temperaturas de -40ºC hasta +85ºC, soporta modo de alta velocidad 400KHz-1MHz (IC2 bus) y 3-5MHz (SPI bus) para lectura de alta velocidad de datos, presentadas en encapsulado SOP-8/TSSOP-8-14 (tecnología de montaje superficial). • EEPROM paralela: tienen un voltaje de operación de 2,7v-5v, incorporan función de seguridad de datos, software de protección de datos, pin de reseteo, mejorada la fiabilidad de los datos, acceso de alta velocidad (eficiencia mejorada), soporta amplio rango de temperaturas y es compatible con equipos de exterior. • Las aplicaciones principales indicadas por el fabricante son teléfonos móviles, teléfono inalámbrico, fax (marcador de velocidad y gestión del historial de comunicación); TV, control remoto, equipos de medición, electrodomésticos electrónicos. Renesas comercializa chips desde 2Kb (mínimo) hasta 1Mb, hasta 512Kb las de interfaz serie (producción en masa) , las de 1Mb solo son de interfaz paralela (actualmente en desarrollo). Vienen en encapsulados SOP y TSSOP.  Dos ejemplos: • El modelo R1EV5801MBSDRDI es una EEPROM paralela de 1Mb de capacidad, organización 128K palabras de 1 Byte, tamaño, encapsulado SOP(32pin), tiempo de acceso de 250ns, voltaje de operación de 2,7-5,5v, temperatura de operación de -40ºC a +85ºC, tiene aplicación de consumo e industrial y dimensiones de 11,3x20,45 mm. • El modelo R1EX25512ATA001 es una EEPROM serie de bus SPI de 512Kb de capacidad, organización 64K palabras de 1 Byte, encapsulado TSSOP(8pin), voltaje de operación 1,8-5,5v, temperatura -40ºC a +85ºC, indicado para aplicación industrial, frecuencia de reloj de 5MHz.

Renesas EEPROM serie SPI R1EX25512ATA00I

Esquema gama de EEPROM de Renesas

4.2. MICRON El negocio de memoria flash de Renesas es transferido a la empresa Micron, antes conocida como Elpida. Fabrica chips de memoria flash NAND en 4 tecnologías: Tecnología SLC (Singl Level Cell)

Densidad 128Mb-512Gb

MLC (Multi Level Cell)

16Gb-1Tb

Configuraciones(max. capacidad) 512E words x 1bit 64G words x 8 bits 32G words x 16 bits 128G words x 8 bits

TLC (Triple Level Cell) Serial

64Gb-128Gb 1Gb-4Gb

16G words x 8 bits 4G words x 1 bit

Encapsulados TSOP, derivados de BGA TSOP, derivados de BGA TSOP Derivados de BGA

4.3. ATMEL Pioneros en la innovación de las EEPROM serie desde hace 20 años, líder en la industria de la memoria no volátil para adaptarse a cualquier aplicación. •

Serial EEPROM: ofrece soluciones para el almacenamiento de preferencias y configuraciones personales de datos en automoción, telecomunicaciones, aparatos médicos, industriales y PC; versiones en protocolos I2C, microwire y SPI con encapsulados DFN, VFBGA, SOT23 y WLCSP; voltajes de operación bajo (1,8v-2,7v), velocidad de reloj hasta 400KHz. 9

•

•

Las EEPROM con bus I2C están indicadas para almacenamiento de datos, gaming cámaras, LCD, LCD TVs, LED TVs y wireless LAN. Se ofrecen chips desde 1Kbit hasta 1Mbit de densidad. Parallel EEPROM: soluciones pensadas para la ejecución directa de código y el almacenamiento de datos de alta confiabilidad para aplicaciones militares, de telecomunicaciones y aerospacial. Se ofrecen chips en densidades de 64Kb hasta 4Mb. Vienen en versiones de 2,7v y 5v de alimentación en encapsulados PDIP (montaje Through-hole), PLCC, SOIC y TSOP. Serie CryptoMemory: son una familia de EEPROMS con un motor de encriptación hardware de 64bits integrado. Ofrece un medio seguro de prevención de la falsificación y piratería de productos. Se ofrece en densidades de 1Kbit a 256Kbit y utilizan interfaz serie de comunicación.

4.4. MICROCHIP TECHNOLOGY INC. Ofrece EEPROM serial, serial flash y parallel flash. Cabe destacar una serie de chips EEPROM de aplicación específica para almacenar números de identificación como la dirección MAC de un dispositivo de red.

Microchip tecnhnology parallel flash

Microchip tecnhnology serial eeprom

Microchip tecnhnology serial flash

4.5. MICROSEMI (antes llamado Actel) Su negocio de memoria EEPROM se mantiene en la línea de otras empresas de la competencia, ofreciendo chips EEPROM con una organización desde 32Kb hasta 512Kb en palabras de 8, 16 o 32 bits en encapsulados DIP y PGA. También ofrecen memoria flash NAND de tecnología SLC (Single Level Cell) desde 16GB hasta 96GB de densidad en encapsulado BGA (Ball Grid Array).

Microsemi Flash

4.6. SAMSUNG Empresa puntera del sector de la memoria flash para almacenamiento masivo de datos, ofrece una innovadora solución de última generación, la primera 3D vertical NAND flash memory, rompe la barrera del proceso de 10nm ofreciendo el doble de velocidad de escritura, diez veces más duradero y la mitad de consumo que otros chips de flash NAND. Este producto tiene un uso potencial en los SSD (Solid State Drive). El 3D Vertical - NAND es un chip que utiliza 32 capas de células apiladas verticalmente por chip de memoria. Samsung estima que V-NAND escalará hasta 1Tb por chip de memoria. Los chips de la generación anterior utilizaban 2 bits por celda, este utiliza 3 bits por celda. 4.7. COMERCIALIZACIÓN DE EPROM En los catálogos comerciales más actualizados no se incluyen modelos en venta de memorias UV EPROM, en cambio aparecen en venta en categoría de EPROM algunos modelos de OTPROMS de fabricantes como Intel, Atmel, Maxim Integrated y Texas Instruments. Esta situación se debe a que el cuarzo de la ventana que llevan las UV EPROM es caro de fabricar por ello se introdujeron en el mercado los chips OTP (OneTime Programmable) para sustituir tanto a las EPROM normales como a las EPROM incluidas en algunos microcontroladores. Estas últimas están siendo sustituidas progresivamente por EEPROM y por memoria flash. 10

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