LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

Universidad Privada de Tacna

TRABAJO DE INVESTIGACION MEMORIA RAM

CURSO

:

INTEGRANTES :

ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS

LUIS PALACIOS MARTÍNEZ CARLOS VALENCIA VELA MELVYN ARIAS MOREYRA

TACNA ± PERU

1

I

I

Su definición es almacenes internos en el ordenador. El término memoria identifica el almacenaje de datos que viene en forma chips, y el almacenaje de la palabra se utiliza para la memoria que existe en las cintas o los discos. Por otra parte, el término memoria se utiliza generalmente como taquigrafía para la memoria física, que refiere a los chips reales capaces de llevar a cabo datos. Algunos ordenadores también utilizan la memoria virtual, que amplía memoria física sobre un disco duro. ada ordenador viene con cierta cantidad de memoria física, referida generalmente como memoria memoria principa principall o A . Se puede puede pensar pensar en memoria principal principal como arreglo arreglo de celdas de memoria, cada una de los cuales puede llevar a cabo un solo byte de información. n ordenador que tiene 1 megabyte de la memoria, por lo tanto, puede llevar a cabo cerca de 1 millón de Bytes (o caracteres) de la información. a memoria funciona de manera similar a un juego de cubículos divididos usados para clasificar la correspondencia en la oficina postal. A cada bit de datos se asigna una dirección. ada dirección corresponde a un cubículo cubículo (ubicación) (ubicación) en la memoria. Para guardar información en la memoria, el procesador primero envía la dirección para los datos. El controlador de memoria encuentra el cubículo adecuado y luego el procesador procesador envía los datos a escribir. Para leer la memoria, el procesador procesador envía la dirección para los datos requeridos. e inmediato, el controlador de la memoria encuentra los bits de información conten idos en el cubículo adecuado y los envía al bus de datos del procesador.

2

I

I

Su definición es almacenes internos en el ordenador. El término memoria identifica el almacenaje de datos que viene en forma chips, y el almacenaje de la palabra se utiliza para la memoria que existe en las cintas o los discos. Por otra parte, el término memoria se utiliza generalmente como taquigrafía para la memoria física, que refiere a los chips reales capaces de llevar a cabo datos. Algunos ordenadores también utilizan la memoria virtual, que amplía memoria física sobre un disco duro. ada ordenador viene con cierta cantidad de memoria física, referida generalmente como memoria memoria principa principall o A . Se puede puede pensar pensar en memoria principal principal como arreglo arreglo de celdas de memoria, cada una de los cuales puede llevar a cabo un solo byte de información. n ordenador que tiene 1 megabyte de la memoria, por lo tanto, puede llevar a cabo cerca de 1 millón de Bytes (o caracteres) de la información. a memoria funciona de manera similar a un juego de cubículos divididos usados para clasificar la correspondencia en la oficina postal. A cada bit de datos se asigna una dirección. ada dirección corresponde a un cubículo cubículo (ubicación) (ubicación) en la memoria. Para guardar información en la memoria, el procesador primero envía la dirección para los datos. El controlador de memoria encuentra el cubículo adecuado y luego el procesador procesador envía los datos a escribir. Para leer la memoria, el procesador procesador envía la dirección para los datos requeridos. e inmediato, el controlador de la memoria encuentra los bits de información conten idos en el cubículo adecuado y los envía al bus de datos del procesador.

2

I. HIS ³La

I

E L MEM

memoria

A

I

M

es una memoria volátil, es un un tipo de memoria temporal temporal que

pierden sus datos cuando se quedan sin energía. energía. Se utiliza generalmente para almacenar temporalmente datos, con este trabajo pretendemos mostrar la historia y la evolución evolución de la memoria memoria técnico.´

A

a través través del del tiempo desde un punto de vista

ensionaremos clases de memorias

II. EF EFI I IÓ

E MEM

I

Proviene de (" ead Aleatory Aleatory

M emory") ó memoria de lectura aleatoria: aleatoria: es un

dispositivo electrónico que se encarga de almacenar datos e instrucciones de manera temporal, de ahí el término de memoria de tipo volátil ya que pierde los datos almacenados una vez apagado el equipo ; pero a cambio tiene una muy alta velocidad para realizar las acciones. En la memoria A

se carga el sistema operativo operativo (Linux buntu, buntu, Apple® Apple®

icrosoft® Window Windowss 7, etc.), los programas programas ( ffice, Winzip®,

ac S,

ero®, etc.),

instrucciones desde el teclado, memoria para desplegar el video y opcionalmente una copia del contenido de la memoria

.

Ej mplo uando damos doble doble clic a la aplicación

icrosoft® icrosof t® Word, el el programa será leído

desde el disco duro e inmediatamente la computadora buscará almacenarlo en la memoria

A , ello para que el usuario usuario lo utilice utilice sin sin la lentitud que implicaría

trabajarlo trabajarlo desde desde el disco duro, y una una vez terminada terminada de usar la aplicació aplicación, n, la A se libera para poder cargar el próximo programa.

emoria A tipo

, marca ma rca Kingston®, Kingston®, modelo modelo KV 266, 266,

capacidad 128 b, bus 266 Hz.

3

III. IP S E MEM

I S

M

Hay tres tres tipos tipos de memori memorias as

ME

I LES

A , la s prime primera rass son las las

A , S A

y una

emulación denominada Swap: DRAM Las

siglas provienen provienen de (" inamic ead Aleatory Aleatory

emory") ó dinámicas, debido debido a

que sus chips se encuentran construidos a base de condensadores, los cuáles necesitan constantemente refrescar su carga (bits) y esto les resta velocidad pero a cambio tienen un precio económico. Ej mplo Hagamos una analogía con una empresa que fabrica hielo pero no cuenta con una toma de agua, sino que constantemente necesita de pipas con agua para realizar  su producto. Esto la hace lenta ya que tiene que esperar que le lleven las pipas ó carros tanque, descargarlas, descargarlas, etc. La

siguiente siguiente lista muestra las memorias memorias A

en modo descendente, descendente, la primer liga

es la más antigua y la última la más reciente.

1- MEM RIA RAM IP

S P

S P proviene de (" hin Small

ut-line ut -line Package"), lo que traducido traducido significa

conjunto conjunto de bajo perfil fuera de línea. Son un tipo de memorias

A

( A

de

celdas construidas a base de capacitores), los primeros módulos de memoria aislados que se introducían en zócalos especiales de la tarjeta principal (" otherboard"). otherboard"). Estos chips en conjunto conjunto iban iban s umando umando las cantidade cantidadess de memoria memoria A del equipo. equipo. Las

memorias memorias S P no fueron totalmen totalmente te reemplazados reemplazados en aquel aquel tiempo, sino

que se conjuntaron los módulos en una placa plástica especial y se organizaron las terminales con forma de pin en un solo lado de la tarjeta, naciendo el estándar de memorias SIP ("Single In-line Package").

emoria emoriass A tipo tipo S P, K 41464 41464AP AP -12, -12, 18 pines pines..

4

LA MEM ORIA DE PARIDAD Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la detección de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes de que la computadora utilice el dato. Esto se logra añadiendo un " bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el número de "unos" del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número de "unos" del byte es impar, el " bit extra ó bit de paridad " será 0, ejemplo: Carác t r 

yt

Humano

Núm r o

uno

Impar  ó par 

Bit

par i ad

A

0100 0001

2

Par

1

L

0100 1100

3

Impar

0

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se desarrollo posteriormente la tecnología E

.

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO TSOP

La

unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria

S P es el Kilobyte (Kb) y se muestra un ejemplo de una memoria para placa 915P( ) de Acer®. Tipo de memor ia

Capacidad en Kilobytes

TSOP KM41464AP-12

128 Kb

(Mb)

SOS ESPECÍFICOS DE LA MEM ORIA TSOP Los

S P se utilizaron básicamente en computadoras con microprocesadores de

la familia Intel® 286 y modelos anteriores.

6

2.- MEMORIA RAM TIPO SIP. SIP es la sigla de ("Single In-line Package"), lo que traducido significa soporte simple en línea: son los primeros tipos de memorias

A

( A

de celdas

construidas a base de capacitores), que integraron en una sola tarjeta varios módulos de memoria S P, lográndose comercializar mayores capacidades en una sola placa. Las terminales se concentraron en la parte baja en forma de pines (30) que se insertaban dentro de las ranuras especiales de la tarjeta principal ( otherboard). Las

memorias SIP fueron rápidamente reemplazadas por las memorias

tipo SI

("Single In line

emory

A

odule"), ya que las terminales se

integraron a una placa plástica y se hizo mas resistente a los do bleces.

emoria A tipo SIP. CARACTERÍSTICAS

y

y

ENERALES DE LA MEMORIA SIP

Solo se comercializó una versión de memoria SIP de 30 terminales. uentan con una forma física especial, pero tenían el inconveniente de que al tener los pines libres y en línea corrían el riesgo de doblarse y romperse.

y

La

memoria SIP de 30 terminales permite el manejo de 8 bits.

y

La

medida del SIP de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm.

de alto. PARTES Q E COMPONEN LA MEMORIA SIP Los

componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

7

1.- Tar jeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria. 2.-Chips: son módulos de memoria volátil. 3.- Conector  (30 pines): son terminales tienen forma de pin, que se insertan en el módulo especial para memoria SIP. Figura 3. Esquema de una memor ia RAM tipo SIP. CONECTORES

- PINES PARA LA RANURA

Son 2 versiones: Conector 

Figuras Conector  de la

SIP 30 pines

memor ia "Ranura" de la

tar jeta pr incipal

VELOCIDAD DE LA MEMORIA SIP La

unidad para medir la velocidad de las memorias

A

es en

egaHertz

( Hz). En el caso de los SIP su velocidad de trabajo era la misma que los microprocesadores del momento, esto es aproximadamente entre 25 H y 33 Hz. LA MEMORIA DE PARIDAD Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la detección de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes de que la computadora utilice el dato.

8

Esto se logra añadiendo un " bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el número de "unos" del byte es par, el " bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo: Carác ter 

Byte

Númer o de unos

Impar  ó par 

Bit de par idad

A

0100 0001

2

Par

1

L

0100 1100

3

Impar

0

Humano

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se desarrollo posteriormente la tecnología E

.

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEM ORIA SIP Es el tiempo que transcurre para que la memoria A

dé un cierto resultado

que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg): Tiempo de respuesta en nanosegundos

Tipo de memor ia

(nseg)

SIP 30 pines

60 nseg

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO SIP

La

unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria SIP es Kilobyte (Kb) y el

egabyte ( b). En este caso como hubo 2

versiones, estas varían de acuerdo al modelo y se comercializaron básicamente las siguientes capacidades: Tipo de memor ia

Capacidad en Megabytes (Mb)

SIP 30 pines

256 Kb, 512 Kb, 1 b?

9

USOS

Los

ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA SIP

SIP de 30 pines se utilizaron básicamente en computadoras con

microprocesadores de la familia Intel® 286. 3.- MEM ORIA RAM TIPO SIMM. SIMM proviene de ("Single In line

emory

odule"), lo que traducido significa

módulo de memoria de únicamente una línea (este nombre es debido a que sus contactos se comparten de ambos lados de la tarjeta de memoria): son un tipo de memorias

A

( A

de celdas construidas a base de capacitores),

las cuales tienen los chips de memoria de un solo lado de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 30 ó 72 terminales para ranuras de la tarjeta principal ( otherboard). Las

memorias SI

Line

Package").

Las

memorias SI

reemplazaron a las m emorias A

tipo SIP ("Single In-

fueron reemplazadas por las memorias

A

tipo I

(" ual In line emory odule ").

Figura 2. emoria A tipo SI genérica, L -9645-8

L-194V-0,

, 3

chips, 30 pines, capacidad de 1 b.

CARACTERÍSTICAS

y

Figura 3. emoria A tipo SI

,

genérica, HY 591000P , 12 chips, 72 pines, capacidad 32 b.

ENERALES DE LA MEMORIA SIMM

Hay 2 versiones de memoria SI

, con 30 y con 72 terminales, siendo el

segundo el sucesor. y

uentan con una forma física especial, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarla de manera incorrecta. Adicionalmente el SI

de 72

terminales cuenta con una muesca en un lugar estratégico del conector.

10

La

y

memoria SI

de 30 terminales permite el manejo de 8 bits y la de 72

terminales 32 bits. La

y

medida del SI

de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm.

de alto. La

y

medida del SI

de 72 terminales es de 10.88 cm. de largo X 2.54 cm.

de alto. Pueden convivir en la misma tarjeta principal (" otherboard") ambos tipos

y

si esta tiene las ranuras necesarias para ello. PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA SIMM Los

componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

1.- Tar jeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria. 2.-Chips: son módulos de memoria volátil. 3.- Conector  (30 ter minales): base de la memoria que se inserta en la Esquema externo de una memoria A tipo SI

ranura especial para memoria SI

.

.

CONECTORES - TERMI NALES PARA LA RANURA

Son 2 versiones: Conector 

Figuras Conector  de la

memor ia SIMM

30

ter minales

Ranura de la

tar jeta pr incipal

11

VELOCIDAD DE LA MEMORIA SIMM La

unidad para medir la velocidad de las memorias

( Hz). En el caso de los SI

A

es en

egaHertz

su velocidad de trabajo era la misma que los

microprocesadores del momento, esto es aproximadamente entre 25 H y 33 Hz. LA MEMORIA DE PARIDAD Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la detección de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes de que la computadora utilice el dato. Esto se logra añadiendo un " bit extra" por cada byte (8 bits) , de modo que si el número de "unos" del byte es par, el " bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo: Carác ter 

Humano

Númer o

Byte

unos

de

Impar  ó par 

Bit

de

par idad

A

0100 0001 2

Par

1

L

0100 1100 3

Impar

0

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se utiliza la tecnología E

.

TECNOLOGÍA DE CORRECCIÓN DE

La

tecnología E

en memorias SI

ERRORES (ECC) se utilizaba básicamente para equipos

que manejaban datos sumamente críticos, ya que no era común su uso en equipos domésticos porque esta tecnología aumentaba en gran medida los costos de la memoria. E

son las siglas de ("Error ode orrection"), que traducido significa código

para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de

12

detectar y corregir errores de 1 ó más bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad. Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del E

, el

cual se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para determinar la falla y se procede a corregirlo. MODO DE ACCESO FPM FP

son las siglas de ("Fast Page

ode") ó modo rápido de paginación. Es

una tecnología que mejora el rendimiento de las memorias ead Aleatory

A

(" inamic

emory", es decir memorias con almacenamiento basado en

capacitores , accediendo a las direcciones solicitadas por medio de cambios de página. EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEM ORIA SIMM Es el tiempo que transcurre para que la memoria A

dé un cierto resultado

que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg): Tipo de memor ia

Tiempo de respuesta en nanosegundos

(nseg)

SIMM 30 ter minales

60 nseg

SIMM 72 ter minales

40 nseg

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO SIMM La

unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria SI

es Kilobyte (Kb) y el egabyte ( b). En este caso como hubo 2

versiones, estas varían de acuerdo al modelo y se comercializaron básicamente las siguientes capacidades: Tipo de memor ia

Capacidad en Megabytes (Mb)

SIMM 30 ter minales

256 Kb, 512 Kb, 1 b, 2 b, 4 b, 8 b

SIMM 72 ter minales

4 b, 8 b, 16 b, 32 b, 64 b

13

CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA DIMM y

SDRAM

uenta con conectores físicamente independientes en ambas caras de la tarjeta de memoria, de allí que se les denomina duales.

y

y

odas las memorias I

-S

A

cuentan con 168 terminales.

uentan con un par de muescas en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocar las de manera incorrecta.

y

La

memoria I

y

La

medida del I

-S

A permite el manejo de 32 y 64 bits.

-S

A

es de 13.76 cm. de largo X 2.54 cm. de

alto. y

Puede convivir con SI

en la misma tarjeta principal (" otherboard")

si esta cuenta con ambas ranuras. PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA DIMM Los

SDRAM

componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

1.- Tar jeta: es una placa plástica sobre la cual están soldadas los componentes de la memoria. 2.-Chips: son módulos de memoria volátil. 3.- Conector  (168 ter minales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria

I

- S

A

en la tarjeta

principal ( otherboard). 4.- Muesca: indica la posición correcta dentro

Figura 3. Esquema de la memoria A tipo I S

-

de la ranura de memoria.

A .

15

CONECTORES - TERMI NALES PARA LA RANURA

Solo hay una versión física: Conector 

Figuras Conector 

la

de DIMM

-

SDRAM 168 ter minales

memor ia Ranura de

la

tar jeta

pr incipal VELOCIDAD DE LA MEMORIA DIMM La

SDRAM

unidad para medir la velocidad de las memorias

( Hz). En el caso de los I

-S

A

es en

egaHertz

A , tiene varias velocidades de trabajo

disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente fueron las siguientes:

Nombre asignado

Velocidad de la memor ia (FSB: " Fr ontal Side Bus")

----

25 Hz, 33 Hz, 50 Hz

PC66

66 egaHertz ( Hz)

PC100

100 Hz

PC133

133 Hz

PC150

150 Hz

LA MEM ORIA DE PARIDAD Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la detección de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes de que la computadora utilice el dato. Esto se logra añadiendo un " bit extra" por cada byte (8 bits) , de modo que si el número de "unos" del byte es par, el " bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo:

16

Caracter 

Byte

Humano

Númer o

de

unos

Impar  ó par 

Bit

de

par idad

A

0100 0001

2

Par

1

L

0100 1100

3

Impar

0

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se utiliza la tecnología E

.

TECNOLOGÍA DE CORRECCIÓN DE

La

tecnología E

en memorias I

ERRORES (ECC) -S

A

se utilizaba básicamente para

equipos que manejaban datos sumamente críticos, ya que no era común su uso en equipos domésticos porque esta tecnología aumentaba en gran medida los costos de la memoria. E

son las siglas de ("Error ode orrection"), que traducido significa código

para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de detectar y corregir errores de 1 ó más bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad. Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del E

, el

cuál se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para determinar la falla y se procede a corregirlo. MODO DE ACCESO FPM FP

son las siglas de ("Fast Page

ode") ó modo rápido de paginación. Es

una tecnología que mejora el rendimiento de las memorias ead Aleatory

A

(" inamic

emory "), es decir memorias con almacenamiento basado en

capacitores, accediendo a las direcciones solicitadas por medio de cambios de página. EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEM ORIA DIMM Es el tiempo que transcurre para que la memoria

SDRAM A

dé un cierto resultado

que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

17

Tiempo de respuesta en nanosegundos

Tipo de memor ia DIMM

(nseg)

- SDRAM 168 ter minales

12 nseg - 10 nseg - 8 nseg

LATENCIA DE LA MEM ORIA DIMM SDRAM L

proviene de (" AS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria

en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es " iempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria ( egaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia. Tipo de memor ia

Latencia pr omedio CAS

DIMM

3

- SDRAM 168 ter minales

Capacidades de almacenamiento DIMM La

SDRAM

unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria I

-S

A

es el egabyte ( b). Actualmente en éxico todavía

se venden de manera comercial algunas de las siguientes capacidades: Tipo de memor ia

Capacidad en Megabytes (Mb)

DIMM

- SDRAM 168 ter minales PC100

32 b, 64 b, 128 b, 256 b, 512 b

DIMM

- SDRAM 168 ter minales PC133

32 b, 64 b, 128 b, 256 b, 512 b

USOS

ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA DIMM SDRAM

Los

I

- S

A

de 168 terminales se utilizaron básicamente en

computadoras de escritorio con microprocesadores de la familia Intel® Pentium Pro, Pentium II, eleron y algunos modelos Pentium III. LA MEMORIA SODIMM - SDRAM (VARIANTE DE DIMM - SDRAM) Significado de SODIMM - SDRAM: proviene de ("Small emory

odule"), siendo la variante de memorias

I

utline - S

ual In line A

para

computadoras portátiles.|

18

CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA DDR

y

y

odos las memorias

cuentan con 184 terminales.

uentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.

y

La

medida del

mide 13.3 cm. de largo X 3.1 cm. de alto y 1 mm.

de espesor. y

omo sus antecesores (excepto la memoria I

), pueden estar ó no

ocupadas todas sus ranuras para memoria. PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA DDR Los

componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

1.- Tar jeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria. 2.-Chips: son módulos de memoria volátil. 3.- Conector  (184 ter minales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria Esquema de partes de la memoria A tipo

.

4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria

.

CONECTORES - TERMI NALES PARA LA RANURA

Solo hay una versión física:

20

Conector 

Figuras Conector 

la

de DDR

184

ter minales

memor ia Ranura de

la

tar jeta pr incipal VELOCIDAD DE LA MEMORIA DDR La

unidad para medir la velocidad de las memorias

( Hz). En el caso de los

A

es en

egaHertz

, tiene varias velocidades de trabajo disponibles,

la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes: Velocidad de la memor ia (FSB: " Fr ontal Side

Nombre asignado

Bus")

PC-2100

266 Hz

PC-2700

333 Hz

PC-3200

400 Hz

TECNOLOGÍA DDR ECC

La

tecnología E

en memorias

se utiliza básicamente para servidores

que manejan datos sumamente críticos, ya que no es común su uso en equipos domésticos porque esta tecnología aumenta en gran medida los costos de la memoria. E

son las siglas de ("Error ode orrection"), que traducido significa código

para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de detectar y corregir errores de 1 ó más bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad. Esto se logra mediante el uso de un a lgoritmo matemático de parte del E

, el

cual se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se

21

comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el código original se d ecodificará para determinar la falla y se procede a corregirlo. EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEM ORIA DDR Es el tiempo que transcurre para que la memoria A

dé un cierto resultado

que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de

Tiempo de respuesta en nanosegundos

memor ia

(nseg)

DDR PC2100

7.5 nseg

DDR PC2700

6 nseg,

DDR PC3200

5 nseg

LATENCIA DE LA MEM ORIA DDR L

proviene de (" AS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria

en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es " iempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria ( egaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia. Tipo de memor ia

Latenci as (CL)

DDR PC2100

2.5

DDR PC2700

2.5

DDR PC3200

2.5 hasta 4

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO DDR

La

unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria

es el

egabyte ( b). y el Gigabyte (Gb). Actualmente en éxico

se comercializan las siguientes capacidades :

22

Tipo de memor ia

Capacidad en Megabytes (Mb)

DDR 184 ter minales

128 b, 256 b, 512 b y 1 Gb

USOS

Los

ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA DDR de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con

microprocesadores de la familia A

® Athlon y por su bajo precio y eficiencia

también la firma Intel® lo adopto para sus productos Pentium 4. LA MEMORIA SODDR (VARIANTE DE DDR) Proviene de ("Small

utline ual ata ate "), siendo la variante de memoria

para computadoras portátiles.

tro tipo de memorias

computadoras portátiles son las micro

para

, utilizadas en ciertos modelos de

portátiles de las marcas oshiba® y Sony®. CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA SODDR:

y

odas las memorias S

cuentan con 200 terminales, especiales para

computadoras portátiles, mientras que las micro

cuentan con 172

terminales. y

Las

demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento,

velocidad, etc., son iguales a la del formato

para computadora de

escritorio.

emoria S

, 200 terminales, 266/333 Hz.

23

y

iene una placa metálica sobre los chips de memoria, debido a que estos tienden a calentarse mucho y esta placa actúa como disipador de calor.

y

omo requisito para el uso del

I

es que todas las ranuras asignadas para

ellas estén ocupadas. PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA RIMM Los

componentes internos están cubiertos por una placa metálica que actúa

como disipador de calor: 1.-

Disipador:

es

una

placa

metálica que cubre la tarjeta plástica y los chips, ya que tienden a sobrecalentarse y de este modo absorbe el calor y lo transmite al ambiente. 2.- Conector  (184 ter minales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria I

.

Figura 3. Esquema externo de 3.- Muescas: son 2 hendiduras características de la memoria I una memoria A tipo I y que indican la posición correcta dentro de la ranura de memoria. CONECTORES - TERMI NALES PARA LA RANURA

Solo hay una versión física: Conector 

Figuras Conector  de la

memor ia RIMM

184

Ranura de

ter minales la tar jeta

pr incipal ( iene por    

pares)

25

TECNOLOGÍA DE CORRECCIÓN DE

La

tecnología E

en memorias

I

ERRORES (ECC) se utiliza básicamente para equipos

que van a manejar datos sumamente críticos, ya que no es común su uso en equipos domésticos porque esta tecnología aumenta en gran medida los costos de la memoria. E

son las siglas de ("Error ode orrection"), que traducido significa código

para corrección de errores. Se trata de un có digo que tiene la capacidad de detectar y corregir errores de 1 ó mas bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad. Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del E

, el

cuál se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para determinar la falla y se procede a corregirlo. VELOCIDAD DE LA MEMORIA RIMM La

unidad para medir la velocidad de las memorias

( Hz). En el caso de los I

A

es en

egaHertz

, tiene va rias velocidades de trabajo disponibles,

la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente fueron las siguientes:

Nombre asignado

Velocidad de la memor ia (FSB: " Fr ontal Side Bus")

PC600

300 egaHertz ( Hz)

PC700

356 Hz

PC800

400 Hz

PC1066

533 Hz

(...)

800 Hz

26

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEM ORIA RIMM Es el tiempo que transcurre para que la memoria A

dé un cierto resultado

que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg): Tiempo de respuesta en

Tipo de memor ia

nanosegundos (nseg)

RIMM 184 ter minales

40 nseg aproximadamente

LATENCIA DE LA MEM ORIA RIMM L

proviene de (" AS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria

en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es " iempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria ( egaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia. Tipo de memor ia

Latencia CAS

RIMM 184 ter minales

4y5

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO RIMM La

unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria

I

es el

egabyte ( b). Se comercializaron básicamente las

siguientes capacidades: Tipo de memor ia

Capacidad en Megabytes

RIMM 184 ter minales

USOS

Los

I

(Mb)

64 b, 128 b, 256 b

ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA RIMM de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con

microprocesadores de la familia Intel® Pentium 4, pero era muy caro y tendía a sobrecalentarse, por lo que terminó siendo reemplazado en el ámbito general por las memorias A

tipo

que eran más económicas y no necesitaban

ventilación adicional.

27

7.- MEM ORIA G-RAM / V-RAM (ACTUAL). TIPOS DE MEMORIA INTEGRADA Y CAPACIDADES

Las

tarjetas de video, además de integrar su propio microprocesador, también

integran cierta cantidad de memoria

A

especial llamada V A

ó G A

("Video ead nly emory ó Graphic ead nly emory"), la cual se encarga exclusivamente de almacenar datos referentes a gráficos mientras una aplicación gráfica los solicite, esto permite que la memoria

A

principal se

mantenga disponible para otros procesos, aunque es importante mencionar  que mientras la V A

no sea solicitada, esta se utilizara como A

por la

computadora. MEMORIAS Y SIGNIFICADO DE GDDR: ("Graphics

ouble

memoria integrada en las tarjetas de video es de tipo

A

ata

ate"), la

(" ead Aleatory

emory"), por lo que es volátil, es decir, al apagar la computadora, todos los datos almacenados en ella se pierden. Se muestra en la siguiente tabla los tipos básicos de memoria que se han integrado actualmente, en este momento es la G

5 la que comienza a ser introducida al mercado comercial.

Tipo de RAM

Capacidad comercial

Carac terísticas

Basada en tecnología

instalada Mb/Gb 2,

esta nueva especificación para GDDR5

"Graphics ouble ata ate 5"

tarjetas gráficas de alto rendimiento, provee un doble ancho de banda a diferencia de G

1.024 Gb, 1.536 Gb, hasta 4 Gb

4, que permite ser 

configurada a 32 y 64 bits, Es un tipo de memoria que también se basa en la GDDR4

"Graphics ouble ata ate 4"

tecnología

, que mejora

las características de consumo

256 b

y ventilación con respecto a la G GDDR3

"Graphics ouble

3.

Es un tipo de memoria

256 b, 384 b, 512 b,

28

Data

ate 3"

adaptada para el uso con

768 b, 896 b, 1 Gb,

tarjetas de video, con

1.792 Gb

características de la memoria DDR2,

mejoradas para reducir 

consumo eléctrico y hacer  eficiente la disipación de calor. Es un tipo de memoria GDDR2

"Graphics Double

Data Rate

2"

adaptada para tarjetas de

256 b, 512 b, 1 Gb

video, con características de la memoria

DDR

y DDR2.

Es un estándar de RA que transmite datos de manera GDDR

"Graphics Double Data Rate"

doble por canales distintos de

64

manera simultánea, en este

b, 128 b, 256 b, 512 b

caso está diseñada para el uso en tarjetas de video. 8.- MEM ORIA RAM TIPO DDR2 DDR-2

proviene de (" Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisión

doble de datos segunda generación (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar y además recibir los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias

DRA

(RA

de celdas construidas a base de

capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal ( otherboard). ambién se les denomina

DI

tipo

DDR2,

debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DI

.

Actualmente compite contra un nuevo estándar: las memorias

RA

tipo DDR -3

"Double Data Rate -3 ".

emoria RA tipo DDR -2, marca Kingston®, capacidad para 512 b, velocidad 667 Hz, tipo P 5300. 29

CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA DDR -2

y

y

odos las memorias DDR -2 cuentan con 240 terminales. uentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.

y

omo sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para memoria.

y

iene un voltaje de alimentación de 1 .8 Volts.

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA DDR-2 Los

componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes: 1.- Tar jeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria. 2.-Chips: son módulos de memoria volátil. 3.- Conector  (240 ter minales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR2.

4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la Figura 3. Esquema de partes ranura de memoria DDR2. externas de una memoria DDR -2 CONECTORES - TERMI NALES PARA LA RANURA

Solo hay una versión física: Conector 

Figuras Conector  de

DDR-2 240

ter minales

la memor ia Ranura de

la tar jeta pr incipal

30

VELOCIDAD DE LA MEMORIA DDR-2 La

unidad para medir la velocidad de las memorias

( Hz). En el caso de los

DDR -2,

RA

es en

egaHertz

tiene varias velocidades de trabajo

disponibles, la cual se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:

Nombre asignado

Velocidad de la memor ia (FSB: " Fr ontal Side Bus")

PC5300

667 Hz

PC6400

800 Hz

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEM ORIA DDR-2 Es el tiempo que transcurre para que la memoria

RA

dé un cierto resultado

que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memor ia

Tiempo de respuesta en nanosegundos

(nseg)

DDR-2

PC5300

6 nseg

DDR-2

PC6400

5 nseg,

LATENCIA DE LA MEM ORIA DDR -2 L

proviene de (" AS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria

en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es: iempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino. Este factor está relaciona do directamente con la velocidad de la memoria ( egaHertz), ya que al aumentar  está, también aumenta la latencia. Tipo de memor ia

Latencias (CL)

DDR2

PC5300

4y5

DDR2

PC6400

4, 5 hasta 6

31

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO DDR -2

La

unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria

DDR-2

es el

egabyte ( b) y el Gigabyte (Gb). Actualmente en

éxico se comercializan las siguientes capacidades: Tipo de memor ia

Capacidad en Megabytes (Mb)

256

DDR-2 240 ter minales

USOS

b, 512

b, 1 Gb, 2 Gb, y 4

Gigabytes (Gb)

ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA DDR -2

Los DDR-2

la firma A

de 240 terminales se utilizan en equipos con microprocesadores de D®:

Athlon 64, Athlon 64 X2, Athlon 64 X2

Intel® se utilizan en equipos: Pentium 4,

ore 2

Dual

Duo,

ore. En el caso de ore 2

uad y

ore

uad. LA MEMORIA SODDR (VARIANTE DE DDR2) Proviene de ("Small DDR2

utline Dual Data Rate 2 "), siendo la variante de memoria

para computadoras portátiles.

CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA SODDR2: y

odas las memorias S

DDR2

cuentan con 200 terminales, especiales

para computadoras portátiles. y

Las

demás

especificaciones

como

latencia,

capacidades

almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato

de

DDR2

para computadora de escritorio. 9.-

MEMORIA RAM TIPO DDR3 (ACTUAL).

DDR-3

proviene de (" Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisión

doble de datos tercer generación: son el mas moderno estándar, un tipo de memorias

DRA

(RA

de celdas construidas a base de capacitores), las

cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con

32

un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal ( otherboard).

ambién se les denomina

DI

tipo

DDR3,

debido a que

cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DI

.

Actualmente compite contra el estándar de memorias

RA

tipo

DDR-2

("Double Data Rate - 2 ") y se busca que lo reemplace.

emoria RA tipo DDR -3, marca Kingston, ValueRA , 240 terminales, capacidad para 2 Gb, latencia CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA

y

y

L

9, voltaje 1.5V.

MEMORIA DDR3

odas las memorias DDR-3 cuentan con 240 terminales. uentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta ó para evitar  que se inserten en ranuras inadecuadas.

y

omo sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para memoria.

y

y

iene un voltaje de alimentación de 1.5 Volts. on los sistemas operativos

icrosoft® Windows más recientes en sus

versiones de 32 bits , es posible que no se reconozca la cantidad de memoria DDR3

total instalada, ya que solo se reconocerán como máximo 2 Gb ó 3 Gb,

sin embargo el problema puede ser resuelto instalando las versiones de 64 bits. PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA DDR3 Los

componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

33

1.- Tar jeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria. 2.-Chips: son módulos de memoria volátil. 3.- Conector  (240 ter minales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR2. Figura 3. Esquema de partes de la memoria DDR -3

CONECTORES

4.-

Muesca:

indica

la

posición

correcta dentro de la ranura de memoria DDR3.

- TERMINALES PARA LA RANURA

Solo hay una versión física: Conector 

Figuras Conector  de la

DDR-3

memor ia

240

ter minales

Ranura de la tar jeta

pr incipal

VELOCIDAD DE LA MEMORIA DDR3 La

unidad para medir la velocidad de las memorias

el caso de los

DDR-3,

RA

es en egaHertz ( Hz). En

tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene

que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:

Nombre asignado

Velocidad de la memor ia (FSB: " Fr ontal Side Bus")

DDR3

PC3-8500

1066 Hz

DDR3

PC3-10666

1333 Hz

DDR3

PC3-12800

1600 Hz

DDR3

PC3-14900

1866 Hz

34

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEMORIA DDR -3 Es el tiempo que transcurre para que la memoria

RA

dé un cierto resultado que el

sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memor ia

Tiempo de respuesta en nanosegundos

(nseg)

DDR3

PC3-8500

7.5 nseg.

DDR3

PC3-10666

6 nseg,

DDR3

PC3-12800

5 nseg,

DDR3

PC3-14900

±4 nseg,

LATENCIA DE LA MEM ORIA DDR -3 L

proviene de (" AS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria

en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es " iempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria ( egaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia. Tipo de memor ia

Latencias (CL)

DDR3

PC3-8500

6 hasta 8

DDR3

PC3-10666

7 hasta 10

DDR3

PC3-12800

8 hasta 11

DDR3

PC3-14900

11 hasta 13

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO DDR -3

La

unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria

DDR-3

es el Gigabyte (Gb). Actualmente se comercializan módulos

independientes y también en tipo Kit; es importante mencionar que las memorias de más de 6 Gb no vienen en un sólo m ódulo de memoria, sino que vienen en Kit (esto es, se venden 4 memorias de 2 Gb, dando resultado 8 Gb), por lo que al momento de decidir cómo comprar la memoria, hay que tomar en

35

1) La c

¢ 

¡  

£  

a de mem

¤

¥

¦ 

a se carga de una c rriente eléctrica alta cuándo ¤  

indica el valor 1. 2)

La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica baja cuándo

indica el valor 0. 3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la información se pierde. 4) Este tipo de celdas tienen un fenómeno de recarga constante ya que tienden a descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 ó un 1, esto se le llama "refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente lentas.

ESTRUCTURA LOGICA DE UNA MEM ORIA RAM Desde

y

las primeras computadoras, la estructura lógica ha sido la siguiente: Memor ia base: desde 0 hasta 640 Kb (Kilobytes), es en esta zona dónde se almacena la mayoría de los programas que el usuario utiliza.

y

Memor ia super ior  y reservada: de 640 a 1.024 b ( egabytes), carga unas estructuras llamadas páginas de intercambio de información y unos bloques de memoria llamados

y

Bloqu es UMB

B.

(Upper  Memor y Blocks): se trata de espacios

asignados para el sistema dentro de la memoria superior, pero debido a la configuración de diversos dispositivos como el video, en algunos casos estos espacios quedaban sin utilizar, por lo que se comenzó a y

Memor ia expandida: se trata de memoria paginada que se asigna a programas en memoria superior, la cuál algunas veces no se utilizaba debido a la configuración del equipo y con este método se puede utilizar.

y

Memor ia extendida: de 1.024

b hasta 2 Gb (Gigabytes), se cargan

todas las aplicaciones que no caben en la memoria base. Antes debido a que los equipos contaban con memoria

RA

limitada, existían

utilerías que reacomodaban los programas cargados en memoria para optimizar su funcionamiento, inclusive el sistema operativo

icrosoft® s -DOS

37

necesitaba de un controlador  especial (himem.sys), para reconocer la memoria extendida, sin él solo reconocía 640 Kb aunque hubiera instalados 16 ó 32 b.

DEFINICION DE UN BUFER DE MEM ORIA

Un

Buffer (amortiguador), es un espacio físico en cualquier dispositivo de

almacenamiento masivo de lectura/escritura, comúnmente en

RA

, que se

asigna para almacenar información que será procesada casi inmediatamente y tenerla en espera de proceso, hasta que una vez utilizados los datos, estos se borren para esperar nuevos. Estos segmentos se utilizan mucho en las impresoras, que guardan en Buffer los documentos en cola de impresión, en los antiguos

Discman®,

que para evitar que la melodía se detuviera, ib an

almacenando unos segundos más de música en caso de un movimiento brusco en el aparato y finalme nte en Youtube mientras reproduce, se va adelantando en descargar el resto del video.

38

T BL §   

§

E T POS ©  

¨   

Tipo de memoria Tipo R 

¨   

E

   

E OR  S    

©

§   

   

§   

Significado

TU LES E §   

  

GE ER  L   

§   

   

escripción

   

R 

   

   

   

E O R     



   

BE O R     

   

!   

DR  "   

#   

SDR  $

FP

%   

&   

DR  '   

&   

R DR  (

)   

SR  / aché 0

2   

1   

"Random Aleatory Memory", memoria de acceso aleatorio

Memoria primaria de la computadora, en la que puede leerse y escribirse información en cualquier momento, pero que pierde la información al no tener alimentación eléctrica.

"Extended Data Out Random Access Memory", memoria de acceso aleatorio con salida de datos extendida

Tecnología opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que permite acortar el camino de la transferencia de datos entre la memoria y el microprocesador.

"Burst EDO Random Access Memory", memoria de acceso aleatorio con salida de datos extendida y acceso Burst

Tecnología opcional; se trata de una memoria EDO RAM que mejora su velocidad gracias al acceso sin latencias a direcciones contiguas de memoria.

"Dinamic Random Access Memory", memoria dinámica de acceso aleatorio

Es el tipo de memoria mas común y económica, construida con capacitores por lo que necesitan constantemente refrescar el dato que tengan almacenado, haciendo el proceso hasta cierto punto lento.

"Synchronous Dinamic Random Access Memory", memoria dinámica de acceso aleatorio

Tecnología DRAM que utiliza un reloj para sincronizar con el microprocesador la entrada y salida de datos en la memoria de un chip. Se ha utilizado en las memorias comerciales como SIMM, DIMM, y actualmente la familia de memorias DDR (DDR, DDR2, DDR3, GDDR, etc.), entran en esta clasificación.

"Fast Page Mode Dinamic Random Access Memory", memoria dinámica de paginación de acceso aleatorio

Tecnología opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que aumenta el rendimiento a las direcciones mediante páginas.

"Rambus DRAM", memoria dinámica de acceso aleatorio para tecnología Rambus

Memoria DRAM de alta velocidad desarrollada para procesadores con velocidad superior a 1 GHz, en esta clasificación se encuentra la familia de memorias RIMM.

"Static Random Access Memory", memoria estática de acceso aleatorio

Memoria RAM muy veloz y relativamente cara, construida con transistores, que no necesitan de proceso de refresco de datos. Anteriormente había módulos de memoria independientes, pero actualmente solo se encuentra integrada dentro de microprocesadores y discos duros para hacerlos mas eficientes.

39