Informe Previo 6 Dispo

U.N.M.S.M FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE  TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES

MATRICULA

 151902!

 ASIS JIMENEZ JUNIOR ALEXANDER

CURSO

TEMA

LABORATORIO DE DISPOSITI"OS ELECTRÓNICOS

EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP

INFORME PRE"IO

FEC#AS REALIZACIÓN

NUMERO  20 DE JUNIO $

DEL

201$

NOTA ENTREGA

2 DE  JUNIO DEL 201$

GRUPO10

PROFESOR

"IERNES DE 2% PM

ING. LUIS PARETTO &UISPE

I. II.

TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR PNP. OBJETIVOS: • •

III.

Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP. Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar  PNP.

Introducción teórica. TRANSISTOR BIPOLAR PNP Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente, el transistor está constituido por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y colector. Eisten ! tipos de transistores bipolares, los denominados PNP. " partir de este punto nos centramos en el estudio de los transistores bipolares NPN, siendo el comportamiento de los transistores PNP totalmente análogo. El emisor en un transistor NPN es la #ona semiconductora más fuertemente dopada con donadores de electrones, siendo su anc$o intermedio entre el de la base y el colector. %u función es la de emitir electrones a la base. &a base es la #ona más estrec$a y se encuentra d'bilmente dopada con aceptores de electrones. El colector es la #ona más anc$a, y se encuentra dopado con donadores de electrones en cantidad intermedia entre el emisor y la base.

CONDICIONES DE FNCIONAMIENTO &as condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo ()E se encuentra polari#ado en directa y el diodo ()C se encuentra polari#ado en in*ersa. En esta situación gran parte de los electrones +ue fluyen del emisor a la base consiguen atra*esar 'sta, debido a su poco grosor y d'bil dopado, y llegar al colector. El transistor posee tres #onas de funcionamiento

!. "ona de #aturación El diodo colector está polari#ado directamente y es transistor se comporta como una pe+ue-a resistencia. En esta #ona un aumento adicionar de la corriente de base no pro*oca un aumento de la corriente de colector, 'sta depende eclusi*amente de la tensión entre emisor y colector. El transistor se asemea en su circuito emisor)colector a un interruptor cerrado. $. "ona acti%a: En este inter*alo el transistor se comporta como una fuente de corriente, determinada por la corriente de base. " pe+ue-os aumentos de la corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi independiente de la tensión entre emisor y colector.

Para trabaar en esta #ona el diodo ()E $a de estar polari#ado en directa, mientras +ue el diodo ()C, $a de estar polari#ado en in*ersa. &. "ona de corte: El $ec$o de $acer nula la corriente de base, es e+ui*alente a mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de colector es prácticamente nula y por ello se puede considerar  el transistor en su circuito C)E como un interruptor abierto.

IV.

RESOLCION TE'RICA DE LOS SI(ENTES CIRCITOS:

Tra)a*a+o# con e, tran#i#tor AF!-  

P/&"012"2 PNP 3"4E01"& 5E03"N1/ 65e7



5"N"NC1" 2E C/001EN4E 687 9 :;

Dato# de, circuito: • • • • •

0e99:@A= 0!9 !!A=. Vcc9 )>!*

Bacemos el e+ui*alente de 4$e*enin del circuito

0b 9

( R 1+ P 1 )× R 2 ( R 1 + P 1)+ R 2

 R 2 ×Vcc

V9

( R 1+ P 1 )+ R 2

Con este nue*o circuito procedemos a reali#ar las operaciones de las siguientes tablas.

OBSERVACI'N: El transistor AF!$- está $ec$o de (ERMANIO y es PNP, entonces su V(E 6acti*a7 y su 8D es respecti*amente

VBE/ 01.

%$2 / 31 TABLA $

4Para P! / 1 5 6 R! / 789 5 V −V BE

 Ballando el 0b  R 1 × R 2 0b 9  R 1+ R 2 56 K

0b 9

× 22 K  (56 + 22) K 

R) / !7.-;39 5  Ballando el V V9

 R 2 ×Vcc  R 1+ R 2

(−12) (56 + 22 ) k 

22 k ×

V9

1b9  Rb + ( β + 1 ) ℜ

1b9

−3.384 −(−0.2 ) 15.794 × 10 + ( 40 + 1 ) 330 3

I) / 0!11.17 ! H 6)>.:@ 6>;;;G! H 6);.!L:L

−3 10

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