Informe Final 6 Dispo

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

Apellidos y Nombres

N! de M"#r$%&l"

1. Cuet Cueto o Ccor Ccorii Hius Hiusto ton n 14190052

C&rso

Tem"

LABORATORIO DISPOSITIVOS ELECTR!ICOS

TRA!SISTOR BIPOLAR !P!

I'(orme "re#io

Fe%)"s

No#"

Re"li*"%i+'

E'#re,"

22 $e %unio

29 $e %unio

N-mero &

Gr&po. N-mero

/ro(esor 0or"rio

In'. Luis P(retto )uis"e

EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP. CARARCTERÍSTICAS BÁSICAS I.

Marco Teorico El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres apas se!iondutoras on sus respetivos ontatos lla!ados" oletor#C$% base #B$ & e!isor #E$. La palabra bipolar se deriva del 'e'o que interna!ente e(iste una doble irulai)n de orriente* eletrones & la+unas o a+u,eros. A. CLASI-ICACION E LOS TRANSISTORES BIPOLARES* Los transistores bipolares se lasi/an de la si+uiente !anera* i.

ii.

por la disposii)n de sus apas* 

transistor PNP.



 Transistor NPN.

por el !aterial se!iondutor e!pleado*  

iii.

 Transistor de +er!anio.

por la disipai)n de potenia* 

iv.

transistor de siliio.

transistor de ba,a potenia.



 Transistor de !ediana potenia.



 Transistor de alta potenia.

por la 0reuenia de traba,o*  

transistor de ba,a 0reuenia.  Transistor de alta potenia.

B. POLARI1ACION E LOS TRANSISTORES BIPOLARES*

Para que un transistor bipolar 0unione adeuada!ente% es neesario polari2arlo orreta!ente. Para ellos se debe u!plir que* o

o

La ,untura BASE 3 E4ISOR este polari2ado direta!ente% & La ,untura COLECTOR 5 BASE este polari2ado inversa!ente.

E,e!plo* Si el transistor es NPN% la base debe tener un volta,e positivo on respeto al e!isor & el oletor debe tener un volta,e ta!bi6n positivo pero% !a&or que el de la base. En el aso de un transistor PNP debe ourrir lo ontrario.

C. COI-ICACION E LOS TRANSISTORES BIPOLARES* Los transistores tienen un )di+o de identi/ai)n que en al+unos asos espei/a la 0uni)n que u!ple & en otros asos india su 0abriai)n. Pese a la diversidad de transistores% se distin+uen tres +randes +rupos* Europeos% 7aponeses & A!erianos. 8. Codi/ai)n europea* Pri!era letra A * 9er!anio B * Siliio Se+unda Letra A * iodo #e(epto los diodos t:nel$ B * Transistor de ba,a potenia  * Transistor de ba,a 0reuenia & de potenia E * iodo t:nel de potenia - * Transistor de alta 0reuenia

L * Transistor de alta 0reuenia & potenia P * -oto 5 se!iondutor S * Transistor para on!utai)n ; * Transistor para on!utai)n & de potenia  < * iodos de potenia 1 * iodo 1ener N:!ero de serie 8== 5 >>> * Para equipos do!6stios tales o!o radio% T?% a!pli/adores% +rabadoras% et. 8= 5 >> & la letra @% < o 1 * Para apliaiones espeiales. E,e!plo * A8>% es un transistor de potenia% de +er!anio & sus apliaiones son de ba,a 0reuenia.

2. Codifcación japonesa: Primero 0 (cero) : Foto transistor o otodiodo 1 : Diodos 2 : Transistor e!"ndo  : emicond"ctor Tercero # : Transistor P$P de %F (radiorec"encia) & : Transistor P$P de #F (a"diorec"encia) C : Transistor $P$ de %F D : Transistor $P$ de #F

F : Tiristor tipo P$P$

9 * Tiristor tipo NPNP Cuarto N:!ero de serie * o!ien2a a partir del n:!ero 88 uinto India un transistor !e,or que el anterior E,e!plo*

Es un transistor PNP de R- on !e,ores araterstias t6nias que el DSA8F.

G. Codi/ai)n a!eriana* Anterior!ente los transistores a!erianos e!pe2aban su odi/ai)n on el pre/,o DN & a ontinuai)n un n:!ero que indiaba la serie de 0abriai)n. E,e!plo DNG=HH% DND>D% et. Atual!ente% ada 0bria le antepone su propio pre/,o% as se tiene por e,e!plo * TI888% EC98D% et. que orresponden respetiva!ente a TE@AS INSTR;4ENTS < S=F. ;n Osilosopio. Resistores * ReK GG= Ω % ReK 8 Ω% R8K HF Ω% RDK DD Ω . Condensadores* CbK =.8 µ-% CK =.8 µ-% C e KG.G µ-.

>. ;na 0uente de .. variable 8=.Tres ordones AC 88. Cables onetores.#G oa(iales ORC$ 8D.;n poteni)!etro de 84 Ω 8G.;na plaa on 2)alo de G ter!inales 8.os plaas on 2)alo de D ter!inales 8H.;n +enerador de seMales

?I. C;ESTONARIO -INAL 8. E@PLICAR EL CO4PORTA4IENTO EL TRANSISTOR AL ACER S; ?ERI-ICACION OPERATICA CON EL O4I4ETRO.

aiendo las !ediiones respetivas se deter!in) los si+uientes datos  Tabla8 Resistenia ireta#$ Inversa#$ Base3E!isor =.G=J H.HFH4 Base3Coletor =.DD= =.FF4 Coletor3e!isor =.HH4 H.F=4 a tabla de resistenia entre la base% el oletor & el e!isor veri/a que se u!ple on las espei/aiones del transistor dado.  TablaD ?alores#R8KH F$ 4edidos

I#!A$

Ib#QA$

.G

8HJ



?e#v.$

?be#v.$

?e#v.$

=.>

=.GG

D.JG

?e#v.$

?be#v.$

?e#v.$

.G

=.G8F

8.JJ>

 TablaG ?alores#R88KF $ 4edidos

I#!A$

Ib#QA$

H.

GJ.H



 TablaH P8 I#!A$ Ib#QA$ ?e#v.$

8== D 8 .G

DH= =.HD .F 8=.JH

H== =.GD .DH 88.HF

84 =.=H = 88.>=

D. Representar la reta de ar+a en un +r/o I vs. ?e del iruito del e(peri!ento. ;biar los puntos orrespondientes a las tablas D" G & H

. n "3 re!iones de tra4ajo se enc"entran 5os p"ntos de 5as ta45as 2 6 7

Se enuentra en la re+i)n ativa de traba,o &a que el oletor esta polari2ado inversa!ente & el e!isor direta!ente.

8. -"3 s"ceder9a con e5 p"nto de operación si cam4iamos %1 a 120;7

Se !overa 'aia aba,o en o!parai)n a la reta o sea se ira 'aia la 2ona de orte

amente 5o oc"rrido en 5a ta45a 8.

Por 0alta de tie!po no se pudo deter!inar los valores de la tabla 

?. =poner s"s conc5"siones acerca de5 e=perimento. •

Se observa una orrelai)n entre el B te)rio on el pratio pero no en las tablas de volta,es.

Se !uestran a!bio en el Av uando no 'a& apaitor en la parte del e!isor. • Los transistores nor!al!ente deben respetar sus B para que as se onsidere su buen 0uniona!iento. • Se !uestra una resistenia pareida en la tabla 8 on las resistenias te)rias. &i45io!rafa •

I*.

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•

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