Ejercicios de Transistores

July 8, 2022 | Author: Anonymous | Category: N/A
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 Ejercicios Resueltos de Dispositivos Electrónicos I   Examen Final de Septiembre d dee 2000 - Ejercicio 3 - Apartado (a)

1

Enunciado  

Hallar el punto de trabajo del transistor T 1   V CE 1   I C SAL  del circuito de la Figura 1, justificando los resultados. C  1   y la tensión U SAL Datos: RC    1k Ω   R E    3   3k Ω   R B   200k Ω, y para el transistor  T 1  :  β1   150   V CEsat    0   22V   V  BEon   V  BEsat    0   7V . 































+24V

RC

RB

USAL

T

1

R

E

Figura 1: Circuito del Enunciado

Solución: En este caso no se sabe en que zona de trabajo está el transistor. Lo mas lógico, debido al circuito de polarización, es suponer que está en zona lineal o en saturación. Escojamos zona lineal y comprobemoslo. De la malla formada por la alimentación, la resistencia de base   R B   la union base emis emisor or del transis transistor tor y la resisten resistencia cia de emisor   R E    podemos ecuacionar   (1) 24V    I  B R B   V  BE    I  E  R E   





 









como suponemos zona activa la ecuación pasa a ser I  B R B   V  BEon   I  B   β1   1   R E 

 

(2)

 I  B   R B   β1   1   R E    V  BEon

 

(3)

 

24V 



 





 







 











despejando y resolviendo  I  B

24V    V  BEon  R B   β1   1   R E 

24V    07V    33   37 µA 200k Ω   150   1   3   3k Ω







 



 



 















(4)



Del funcionamiento funcionamiento del transist transistor or en zona lineal  I C  B   150   33   37 µA   5   00mA C     β1 I  



1





Resuelto por el Prof. Andrés A. Nogueiras Meléndez, [email protected], 2000

1





 

(5)

 

 

 I  E    β1   1   I  B   151   33   37 µA   5   04mA

 







V CE 



 











24V    RC  I C C     R E  I   E  

 



(7)

24V    1k Ω   5mA   3   3k Ω   5   04mA 







 







2   37V 



(6)

(8)

 



(9)

Finalmente la tensión U SSAL AL  es U SSAL AL

 



V CE    I  E  R E  

2   37V    3   3k Ω   5   04mA 











19V 



El punto de trabajo del transistor es V CE  CEsat    0   22V   e  I C C     5mA, que está dentro de la zona lineal. CE    2   37V    V   











Comprobaciones Para quienes que hayan elegido comprobar otros estados del circuito (transistor en corte o saturación) esta sección puede ser de ayuda. Todas las suposiciones que se hacen pueden parecer correctas o incorrectas, pero los resultados numéricos que se obtienen contradicen las suposiciones y son los que validan las mismas. La  suposición del transistor en corte  no es correcta, pues si asi fuera las corrientes por el transistor serian nulas. Si la corriente de base del transistor es nula, la tensión que soporta la unión base emisor es de 24V, lo cual haría que la misma  

estuviese lo que implica que de puede corriente a través de ella y de las resistencias de base   R B y emisor   polarizada claramente contradice el estado cortecircular del transistor. R E   , lo quedirectamente, Supongamos que  el transistor está en saturación. Esto implica que



 



V CE    V CEsat    0   22V  





y consecuentemente V CBsat    V CEsat    V  BEsat    0   22V    0   7V    















0   48V  

Al estar en saturación saturación,, las corrie corrientes ntes de colector y emiso emisorr no son ya proporciona proporcionales les a la corrie corriente nte de base. Desp Desprecia reciando ndo I  B  B frente a  I C  C  e  I   E  tenemos que  I Csat   Esat  Csat    I  



ys  

24V    RC    R E    I Csat  Csat    V  CEsat  







operando y despejando 24   0   22V  



Csat 

 Esat 



 I 



 







1   3   3   k Ω   5   53mA

  I 







Cerrando la malla superior  I  Bsat  R B   V CBsat    I Csat  Csat  RC  



y despejando  I  Bsat 

V CBsat    I Csat  Csat  RC 







 R B

0   48V    5   53mA   1k Ω   200k Ω 











25   25 µA 

 

Para que el transistor esté en saturación es necesario un valor mínimo de corriente de base   I  Bsat   Bsat    min   , que debe ser superior al necesario para que circule la corriente de colector en zona lineal 

 I  Bsat    min 

 I Csat  Csat 

5   53mA   150 

β1







36   87 µA 

como  I  Bsat    25   25 µA   I  Bsat    min   36   87 µA 







la suposición del transistor en saturación es errónea.

2







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