Dispositivos Electrónicos Previo 6

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y Telecomunicaciones

Lozano Torres, Franz Kenneth

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

PREVIO

REALIZACION:

06

08 DE JUNIO DEL 2017

NUMERO:

HORARIO: JUEVES 2pm  –  4pm  4pm

06

15190258

EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP. CARACTERÍSTICAS BÁSICAS. ENTREGA: 15 DE JUNIO DEL 2017

Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica || Universidad Nacional Mayor de San Marcos

I.

Tema: EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP. CARACTERÍSTICAS BÁSICAS."

“

II.

Cuestionario previo:

3. Determinar el punto de operación del circuito del experimento utilizando un transistor bipolar PNP de modelo TR85 . Llenar las tablas 2, 3 y 5. Características del transistor modelo TR85: Transistor Description Case Diag N° Code and Style Application TR85

PNP-Ge

T01

26

Maximum Collector Current (Amp)(Ic) 1

Typical Forward Current (Hfe)( ) 90



Maximum Collector Dissipation (Watts) (Pd) 1.4

El circuito a analizar es el siguiente:

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En esta experiencia iremos variando los valores del potenciómetro P1, por ello expresamos nuestro circuito de la siguiente forma:

 =  + 

Luego hallamos su equivalente Thévenin:

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Donde:

 = +∗ ;  =  +∗ 

  y :  = + = 9.02  ;  =  = 12  Haciendo  = 56 Ω ( = 0 Ω):  = +∗ = 3.38  ;  =  +∗  = 15.79 Ω  = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  ≅ 0.3  Germanio ;  =  ;  ≅ 

Hallamos los valores máximos de



En la malla 1:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + )  =  −  ≅ 6.09   +  En la malla 2:  =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   ≅ 3.90  Hallamos   y  :  =  +−+1 ≅ 67.22 µ  =  ∗  = 2.01  TABLA 2 ( =  Ω)   µ      6.09  67.22 µ  3.90  . 

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  2.01 

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

 = 68 Ω ( = 12 Ω):  = +∗ = 2.93  ;  =  +∗  = 16.62 Ω  = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  ≅ 0.3  Germanio ;  =  ;  ≅ 

Haciendo

En la malla 1:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + )  =  −  ≅ 5.11   +  En la malla 2:  =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   ≅ 5.20  Hallamos   y  :  =  +−+1 ≅ 56.38 µ  =  ∗  = 1.69  TABLA 3 ( =  Ω)   µ      5.11  56.38 µ  5.20  . 

  1.69 

Con estos valores podemos trazar nuestra recta de carga y ubicar los puntos de trabajo Q1 y Q2:

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

 = 156 Ω ( = 100 Ω):  = +∗ = 1.48  ;  =  +∗  = 19.28 Ω  = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  ≅ 0.3  Germanio ;  =  ;  ≅ 

Haciendo

En la malla 1:



 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + )  =  −  ≅ 2.17   +  En la malla 2:  =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   ≅ 9.11  Hallamos  :  =  +−+1 ≅ 23.93 µ Haciendo  = 306 Ω ( = 250 Ω):  = +∗ = 0.80  ;  =  +∗  = 20.52 Ω  = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  ≅ 0.3  Germanio ;  =  ;  ≅  En la malla 1:

En la malla 2:

Hallamos

:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + )  =  −  ≅ 0.90   +   =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   ≅ 10.80   =  +−+1 ≅9.89µ

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

 = 556 Ω ( = 500 Ω):  = +∗ = 0.46  ;  =  +∗  = 21.16 Ω  = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  ≅ 0.3  Germanio ;  =  ;  ≅ 

Haciendo

En la malla 1:



 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + )  =  −  ≅ 0.28   +  En la malla 2:  =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   ≅ 11.63  Hallamos  :  =  +−+1 ≅ 3.13 µ Haciendo  = 1056 Ω ( = 1 Ω):  = +∗ = 1.48  ;  =  +∗  = 19.28 Ω  = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  < 0.3  Germanio ;  =  ;  ≅  En la malla 1:

En la malla 2:

Hallamos

:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + )  =  −  ≅ 0   +   =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   ≅ 12   =  +−+1 ≅ 0 µ

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R

 µ 

 Ω 2.17  23.93 µ 9.11 

TABLA 5

 Ω 0.90  9.89 µ 10.80 

 Ω 0.28  3.13 µ 11.63 

 Ω 0  0 µ 12 

Notamos que, a medida que el valor de R aumenta (P1 aumenta), el transistor pasa a la zona de saturación, donde la corriente de colector (Ic) es mínima y el voltaje colector-emisor (Vce) es máximo.

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