cesar transisitoress.docx

1 Laboratorio de Circuitos Electrónicos I

GUÍA N°4 1. Verifique los terminales del transistor utilizado en la experiencia y comprobar su estado. DIRECTO: Rb-e y Rb-e resistencia baja. Y en inversa alta resistencia Rb-e = 909.00

Ω

Rb-e = 883.45

Ω

DIRECTA E INVERSA: Rc-e y Rc-e en ambos sentidos alta Rc-e = 13.237M Ω

Ingeniería Mecatrónica

Rc-e = MAX

1 Laboratorio de Circuitos Electrónicos I

2. Arme el circuito de la Fig. 4-1.

Observe y mida los siguientes valores: VE = 0V VBE = 0.68V IE = 1.43 mA

Ingeniería Mecatrónica

VC = 3.38V VCE = 3.38V IC = 1.42 mA

1 Laboratorio de Circuitos Electrónicos I

3. Arme el circuito de la Fig. 4-3 y repita las medidas del paso 2.Fig. 4-3

Observe y mida los siguientes valores: VE = 1.23V VBE = 0.68V IE = 1.21 mA

Ingeniería Mecatrónica

VC = 4.23V VCE = 3.00V IC = 1.22 mA

1 Laboratorio de Circuitos Electrónicos I

4. Arme el circuito de la Fig. 4-4 y repita las medidas del paso 2.

VE = 0V VBE = 0.69V IE = 1.93 mA

Ingeniería Mecatrónica

VC = 1.48V VCE = 1.48V IC = 1.92 mA

1 Laboratorio de Circuitos Electrónicos I

5. Arme el circuito de la Fig. 4-5 y repita el paso 2.

VE = 1.57V VBE = 0.69V IE = 1.57 mA Ingeniería Mecatrónica

VC = 2.89V VCE = 1.32V IC = 1.56 mA

1 Laboratorio de Circuitos Electrónicos I

6. Arme el circuito de la Fig. 4-6 y repita el paso 2.

VE = 1.14V VBE = 0.68V IE = 1.13 mA

Ingeniería Mecatrónica

VC = 4.61V VCE = 3.47V IC = 1.13 mA

1 Laboratorio de Circuitos Electrónicos I

7. Arme el circuito de la Fig. 4-7 y repita el paso 2.

VE = -0.72V VBE = 0.68V

Ingeniería Mecatrónica

VC = 4.27V VCE = 4.99V

1 Laboratorio de Circuitos Electrónicos I IE = 1.13 mA

IC = 1.13 mA

CUESTIONARIO

Ingeniería Mecatrónica

1 Laboratorio de Circuitos Electrónicos I

1. Haga el análisis teórico de la fig. 4-1 y compare con los valores experimentales y grafique la recta de carga y los puntos Q VALORES EXPERIMENTALES VE = 0V

VC = 3.38V

VBE = 0.68V

VCE = 3.38V

IE = 1.43 mA

IC = 1.42 mA

VALORES TEÓRICOS

9−0.7

IBQ = 1.5 M Ω

= 5.3uA

1.42x10-3 = Bx5.3x10-6 = 267.92 VCEQ = 9 – 1.42x10-3x3.9x103 = 3.46V 2. Haga el análisis teórico de la fig. 4-3 y compare con los valores experimentales y grafique la recta de carga y los puntos Q VALORES EXPERIMENTALES VE = 1.23V

VC = 4.23V

VBE = 0.68V

VCE = 3.00V

IE = 1.21 mA

IC = 1.22 ma

VALORES TEÓRICOS

IBQ =

Ingeniería Mecatrónica

9−0.7 1.5 M Ω

= 5.3uA

1 Laboratorio de Circuitos Electrónicos I 1.22x10-3 = Bx5.5x10-6 = 221.81 VCEQ = 9 – 1.22x10-3x3.9x103 = 4.24V 3. Haga el análisis teórico de la fig. 4-4 y compare con los valores experimentales y grafique la recta de carga y los puntos Q VALORES EXPERIMENTALES VE = 0V

VC = 1.48V

VBE = 0.69V

VCE = 1.48V

IE = 1.93 mA

IC = 1.92 mA

VALORES TEÓRICOS

IBQ =

9−0.7 100 K Ω

= 0.083mA

1.92x10-3= Bx0.083x10-3 = 23.13 VCEQ = 9 – 1.92x10-3x3.9x103 = 1.51V 4. Haga el análisis teórico de la fig. 4-5 y compare con los valores experimentales y grafique la recta de carga y los puntos Q VALORES EXPERIMENTALES VE = 1.57V

VC = 2.89V

VBE = 0.69V

VCE = 1.32V

IE = 1.57 mA

IC = 1.56 mA

VALORES TEÓRICOS

9−0.7

IBQ = 100 K Ω

= 0.083mA

1.56x10-3 = Bx0.083x10-3 = 18.79 VCEQ = 9 – 1.56x10-3x3.9x103 = 2.91V 5. Haga el análisis teórico de la fig. 4-6 y compare con los valores experimentales y grafique la recta de carga y los puntos Q VALORES EXPERIMENTALES VE = 1.14V

Ingeniería Mecatrónica

VC = 4.61V

1 Laboratorio de Circuitos Electrónicos I VBE = 0.68V IE = 1.13 mA

VCE = 3.47V IC = 1.13 mA

VALORES REALES

9−0.7

IBQ = 22 K Ω

= 0.37mA

1.13x10-3 = Bx0.37x10-3 = 305.40 VCEQ = 9 – 1.13x10-3x3.9x103 = 4.59V 6. Haga el análisis teórico de la fig. 4-7 y compare con los valores experimentales y grafique la recta de carga y los puntos Q VALORES REALES VE = -0.72V

VC = 4.27V

VBE = 0.68V

VCE = 4.99V

IE = 1.13 mA

IC = 1.13 mA

VALORES TEÓRICOS

9−0.7

IBQ = 22 K Ω

= 0.37mA

1.13X10-3 = Bx0.37x10-3 = 305.40 VCEQ = 9 – 1.13x10-3x3.9x103 = 4.59V

Ingeniería Mecatrónica