AMPLIFICADOR DARLINGTON Faber Ernesto Pérez Castiblanco David Stevent Avila Vela
SENA (CEET)
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En la electrónica el transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo.
II.
AMPLI FI FICA DO DOR DARLINGTON
La configuraci configuración ón originalmen originalmente te realizada realizada con dos transistores separados fue inventada por el ingeniero de los laboratorios Bell Sídney Darlington. La idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por él, pero no la idea de poner un número arbitrario arbitrario de transistore transistoress que originaria originaria la idea moderna moderna de circuito integrado. integrado. Los Abstract — in the next report will show and take into account the development and that is the Darlington amplifier and so look pros and cons of this amp when using it to reach a conclusion of this configuration consists of two transistors transistors downhill. downhill.
I.
E
INTRODUCCION
STE informe se realiza para dar a conocer y ampliar el tema de transistores que se esta viendo en la parte técnica en electrónica, así con este informe que nos ampliara el conocimiento en otro tipo de transistor que en un nuevo pasar del tiempo lo podamos utilizar para innovar un dispositivo o crearlo con ayuda de ese amplificador.
Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia ganancia de corriente corriente y, y, al poder poder estar todo integrado, integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuración. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia ganancia de los transistores transistores individuale individuales. s. Un dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. También tienen un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un único transistor, de ahí que pueda convertirse fácilmente en inestable. La tensión base-emisor también es es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor. Y para transistores de silicio es superior a 1.2V. la beta de un transistor transistor o par par Darlingto Darlington n se halla multiplicando las de los transistores individuales. La intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la
beta
total.
Si β 1 y β 2son suficientemente grand s, se da que:
Un inconveniente es la duplicación de la base-emisor de tensión. Ya uniones entre la base y emi transistores Darlington, el voltaje equivalente es la suma de ambas te emisor:
aproximada ue hay dos or de los base-emisor siones base-
Otro problema es la reducción de l velocidad de conmutación, ya que el primer tr ansistor no puede inhibir activamente la corrie te de base de la segunda, haciendo al dispositi vo lento para apagarse. Para paliar esto, el segun o transistor suele tener una resistencia de cientos de ohmios conectada entre su base y emisor. E sta resistencia permite una vía de desca rga de baja impedancia para la carga acumulad en la unión base-emisor, permitiendo un rápido apagado. III. •
•
Para la tecnología basada en silicio, en la que cada VBEi es de aproximadame nte 0,65 V cuando el dispositivo está funcio ando en la región activa o saturada, la tensión base-emisor necesaria de la pareja es de 1,3 V. Otro inconveniente del par Darlingt n es el aumento de su tensión de saturación . El transistor de salida no puede saturarse (es decir, su unión base-colector debe perman ecer polarizada en inversa), ya que su te sión colector-emisor es ahora igual a la suma de su propia tensión base-emisor y la tens ión colectoremisor del primer transistor, ambas positivas en condiciones de funcionamiento nor al. (En ecuaciones, V CE2 = VBE2 + VCE1, así VC2 > VB2 siempre.) Por lo tanto, la tensión de saturación de un transistor Darlington es un V BE (alrededor de 0,65 V en silicio) más alt o que la tensión de saturación de un solo transistor, que es normalmente 0,1 - 0,2 V en el silici . Para corrientes de colector iguales, este inconveniente se traduce en un aum nto de la potencia disipada por el transistor D arlington comparado con un único transistor.
CONCLUSIONES
Se demostró que el amplificad r Darlington a la salida disminuye la impe ancia y esto conlleva a que la corriente y la tensión sean más altas. El β en este tipo de transistor s demasiado alto y si el material es de silicio el VBE va a ser igual a 1,4v. IV.
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REFERENCIAS
HTTP:// WWW.FOROSDEELE TRONICA.C OM / F31/ AMPLIFICADOR-DARLINGTON-
7907/ -
HTTP:// WWW.ANGELFIRE.C M / AL3/VG HP / DARLINGT.HTM
