3.1. Construcción de Transistor BJT

Universidad Politécnica de Chiapas Ing. Biomédica Fundamentos de Electrónica Ing. Othoniel Hernández Ovando

Suchiapa, 14 de Febrero de 2012

Historia •

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De 1904 a 1947, el bulbo fue el dispositivo electrónico más usado. El 23 de Diciembre de 1947, Walter H. Brattain y Joseph Bardeen crearon el primer transistor. El nuevo elemento era más pequeño y ligero, no se calentaba y era mas eficiente.

Introducción •

 Acrónimo de BJT (Bipolar transistor bipolar de unión). Transfer 

Transistor  Resistor 

Bipolar 

Junction

Transistor ,

La corriente circula entre dos terminales esta controlada por una señal aplicada al tercer terminal.

Los portadores tienen dos polaridades: electrones y huecos.

Introducción 

Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido de tres terminales, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal.

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El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en Electrónica.

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No existe desgaste por partes móviles.

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Los transistores son dispositivos características altamente no lineales.

activos

con

Efecto Transistor: el transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar  en función de la señal de entrada. Esta variación de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que está conectado. (Transfer  Resistor).

Ventajas Más pequeño y ligero No se calienta No disipa calor  Resistente Consume menos potencia Voltajes de operación bajos Dispositivos de tres o más terminales

Usos: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Clasificación En función de la situación de las uniones, existen dos tipos:

NPN

PNP

Constitución de un BJT Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en sentido opuesto (Emisor, Base y Colector).

Constitución de un BJT

Polarización NPN La unión correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la Base-Colector en inversa. Así, por la unión Base-Colector Base-Colector circula una corriente inversa.

Construcción Física - Real Estructura más moderna:

Construcción Física - Real Transistores de potencia:

Construcción Física - Real Transistores de potencia:

Encapsulados